[發明專利]用于工藝窗口特征化的虛擬檢驗系統有效
| 申請號: | 201580059576.8 | 申請日: | 2015-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN107078073B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | L·卡爾森迪;K·巴哈斯卡爾;M·瓦格納;B·達菲;V·拉馬錢德蘭 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 工藝 窗口 特征 虛擬 檢驗 系統 | ||
1.一種經配置以檢測樣品上的缺陷的系統,其包括:
檢驗系統,其經配置以使能量掃描遍及所述樣品,同時從所述樣品檢測能量以借此產生所述樣品的圖像,其中所述檢驗系統產生具有兩種或更多種模式的所述樣品的所述圖像,所述兩種或更多種模式由用于產生所述樣品的所述圖像的所述檢驗系統的參數值定義,其中所述檢驗系統包括照明子系統,所述照明子系統經配置以將所述能量引導到所述樣品,掃描子系統經配置以使得所述能量掃描遍及所述樣品,以及包括檢測器的一或多個檢測通道,所述檢測器經配置以檢測來自所述樣品的所述能量,其中所述兩種或更多種模式具有所述照明子系統的一或多個不同參數,所述一或多個檢測通道的一或多個不同參數,或兩者的結合,且其中使用對所述樣品執行的制造工藝的光刻步驟的一或多個參數的不同值在所述樣品上形成至少兩個裸片;
存儲媒體,其經配置以存儲由所述檢驗系統產生的所述樣品的所述圖像,其中使用所述檢驗系統的所述兩種或更多種模式來產生經存儲圖像;以及
一或多個計算機子系統,其經配置以:
比較在所述樣品上的使用所述制造工藝的所述光刻步驟的所述一或多個參數的所述不同值中的至少兩者形成具有相同如所設計的特性的圖案的位置處產生的所述經存儲圖像的部分,其中經比較的所述經存儲圖像的所述部分包括僅使用所述兩種或更多種模式中的一種產生的所述經存儲圖像的部分;及
基于所述比較的結果檢測所述位置處的缺陷,其中所述比較和所述檢測僅以所述兩種或兩種以上模式中的另一種分別對所述樣品上的所述位置處產生的所述經存儲圖像的部分執行。
2.根據權利要求1所述的系統,其中所述存儲媒體和所述一或多個計算機子系統并非所述檢驗系統的部分且并不具有處理所述樣品的任何能力。
3.根據權利要求1所述的系統,其中所述存儲媒體和所述一或多個計算機子系統進一步配置為虛擬檢驗系統。
4.根據權利要求1所述的系統,其中由所述存儲媒體存儲的所述圖像包括在所述掃描和所述檢測期間由所述檢驗系統針對所述樣品產生的全部所述圖像。
5.根據權利要求1所述的系統,其中所述一或多個計算機子系統進一步經配置以基于所述經檢測缺陷確定用于所述制造工藝的工藝窗口。
6.根據權利要求1所述的系統,其中所述一或多個計算機子系統進一步經配置以確定所述經檢測缺陷中的哪些是系統性缺陷。
7.根據權利要求1所述的系統,其中所述一或多個計算機子系統進一步經配置以基于所述經檢測缺陷識別用于所述樣品的設計中的熱點。
8.根據權利要求1所述的系統,其中所述一或多個計算機子系統進一步經配置以:在使所述能量掃描遍及所述樣品且從所述樣品檢測所述能量時比較在所述位置的兩者處產生的所述經產生圖像;基于比較所述經產生圖像的結果檢測缺陷;和對于所述缺陷中的一者,針對具有與形成在所述位置中的所述兩者處的所述圖案相同的如所設計特性的圖案的其它位置搜索用于所述樣品的設計。
9.根據權利要求8所述的系統,其中所述一或多個計算機子系統進一步經配置以基于在所述位置中的所述兩者和所述其它位置處產生的所述經存儲圖像而確定用于所述圖案的一或多個統計數據。
10.根據權利要求8所述的系統,其中所述一或多個計算機子系統進一步經配置以基于在所述位置中的所述兩者和所述其它位置處產生的所述經存儲圖像而確定所述缺陷中的所述一者的靈敏度。
11.根據權利要求8所述的系統,其中所述一或多個計算機子系統進一步經配置以基于在所述位置中的所述兩者和所述其它位置處產生的所述經存儲圖像而確定用于所述制造工藝的工藝窗口。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





