[發明專利]光電子半導體芯片

有效

• 申請號: 201580059523.6
• 申請日: 2015-10-20
• 公開（公告）號: CN107078191B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 法比安·科普;克里斯蒂安·艾興格;科比尼安·佩爾茨爾邁爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42;H01L33/46;H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.一種光電子半導體芯片(10)，所述光電子半導體芯片包括至少一個n摻雜的半導體層(3)、至少一個p摻雜的半導體層(5)和設置在至少一個所述n摻雜的半導體層(3)和至少一個所述p摻雜的半導體層(5)之間的有源層(4)，

其中所述p摻雜的半導體層(5)借助于金屬的第一連接層(8)電接觸，并且其中在所述p摻雜的半導體層(5)和所述第一連接層(8)之間設置有提高反射的介電層序列(6)，所述介電層序列具有多個折射率不同的介電層(61，62)，并且

其中所述提高反射的介電層序列(6)具有向外下降的側壁，所述提高反射的介電層序列(6)的各個介電層(61，62)的層厚度從中心向外減小。

2.根據權利要求1所述的光電子半導體芯片，其中在所述p摻雜的半導體層(5)和所述第一連接層(8)之間設置有透明導電層(7)，其中所述透明導電層(7)至少局部地設置在所述介電層序列(6)和所述第一連接層(8)之間。

3.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中在所述p摻雜的半導體層(5)和提高反射的所述介電層序列(6)之間設置有透明導電的中間層(13)。

4.根據權利要求3所述的光電子半導體芯片，其中所述透明導電的中間層(13)整面地覆蓋所述p摻雜的半導體層(5)。

5.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中所述介電層序列(6)具有多個層對，所述層對分別具有由折射率為n1的第一介電材料構成的第一介電層(61)和由折射率為n2>n1的第二介電材料構成的至少一個第二介電層(62)。

6.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中所述介電層序列(6)具有下述材料中的至少一種：Al₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、ZnO、SiN_x、SiO_xN_y、SiO₂、TiO₂、ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₅或MgF₂。

7.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中所述第一連接層(8)包覆提高反射的所述介電層序列(6)。

8.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中至少一個所述n摻雜的半導體層(3)借助于金屬的第二連接層(9)電接觸。

9.根據權利要求8所述的光電子半導體芯片，其中在所述n摻雜的半導體層(3)和金屬的所述第二連接層(9)之間設置有至少一個第二透明導電層(11)。

10.根據權利要求8所述的光電子半導體芯片，其中在所述n摻雜的半導體層(3)和金屬的所述第二連接層(9)之間設置有第二提高反射的介電層序列(12)，所述第二提高反射的介電層序列具有多個折射率不同的介電層。

11.根據權利要求10所述的光電子半導體芯片，其中所述第二連接層(9)包覆所述第二提高反射的介電層序列(12)。

12.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中金屬的所述第一連接層(8)和/或金屬的第二連接層(9)具有下述金屬中的至少一種：Au、Ag、Ti、Pt、Pd、Cu、Ni、In、Rh、Cr、Al或W。

13.根據權利要求1或2所述的光電子半導體芯片，其中至少一個所述n摻雜的半導體層(3)、至少一個所述p摻雜的半導體層(5)和所述有源層(4)分別具有氮化物化合物半導體材料。