[發明專利]基于聚合物的、微制造的熱接地平面

有效

• 申請號: 201580059333.4
• 申請日: 2015-10-28
• 公開（公告）號: CN107003076B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 瑞恩·約翰·路易斯;李永正;劉·麗·安妮;王云達
• 申請（專利權）人: 科羅拉多州立大學董事會法人團體
• 主分類號: F28D15/02
• 分類號: F28D15/02;H01L23/427;B81C1/00;B81B1/00
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種用于形成熱接地平面的方法，包括：

在第一聚合物層上以第一圖案沉積第一犧牲層；

在所述第一犧牲層上沉積第二聚合物層；

在所述第二聚合物層上沉積第二犧牲層；

在所述第二聚合物層上沉積第一掩蔽層，所述第一掩蔽層具有使部分所述第二聚合物層暴露的多個暴露區域；

對通過所述第一掩蔽層暴露的部分所述第二聚合物層進行蝕刻；

移除所述第一掩蔽層；

在所述第二犧牲層上的模具中以一圖案沉積犧牲氣相芯層；

在所述犧牲氣相芯層上沉積第三聚合物層；

在所述第三聚合物層上沉積第二掩蔽層，所述第二掩蔽層具有使部分所述第三聚合物層暴露的多個暴露區域；

對通過所述第二掩蔽層暴露的部分所述第三聚合物層進行蝕刻；

移除所述第二掩蔽層；

使用所述第三聚合物層中的孔來移除部分所述犧牲氣相芯層；以及

對所述第三聚合物層中的所述孔進行密封。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，提供基底，并在所述基底上沉積所述第一聚合物層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在移除部分所述犧牲氣相芯層之后，所述第三聚合物層形成多個柱狀物。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一圖案包括多個柱狀物的底板。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二聚合物層包括網層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述掩蔽層包括金屬。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述掩蔽層包括多個暴露部分。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲氣相芯層可以被電鍍在所述第二聚合物層上。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氣相芯層形成多個柱狀物。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，使用所述第三聚合物層中的孔來移除部分所述犧牲氣相芯層還包括將酸引入通過所述第三聚合物層中的所述孔。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲氣相芯層具有小于200微米的厚度。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二聚合物層具有小于50微米的厚度。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一聚合物層具有小于50微米的厚度。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，使用所述第三聚合物層中的孔來移除部分所述犧牲氣相芯層還包括移除部分所述第一犧牲層。

15.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述犧牲氣相芯層上沉積第三聚合物層還包括將所述第三聚合物層沉積至所述犧牲氣相芯層的腔或通道內。

16.一種熱接地平面，包括

底層；

與所述底層結合的網層；

與所述網層結合的、具有多個柱狀物的氣芯；和

頂層；

其中，所述頂層和所述底層中的任一個或兩者包括波狀結構。

17.根據權利要求16所述的熱接地平面，其中，所述波狀結構包括平面內波狀結構。

18.根據權利要求16所述的熱接地平面，其中，所述波狀結構包括平面外波狀結構。

19.根據權利要求16所述的熱接地平面，其中，所述頂層和所述底層中的任一個或兩者包括聚合物。