[發明專利]等離子體蝕刻方法在審
| 申請號： | 201580059034.0 | 申請日： | 2015-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN107112232A | 公開（公告）日： | 2017-08-29 |
| 發明（設計）人： | 松浦豪 | 申請（專利權）人： | 日本瑞翁株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙)11413 | 代理人： | 邵秋雨,趙曦 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 蝕刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種等離子體蝕刻方法，是在等離子體條件下使用處理氣體的等離子體蝕刻方法，其特征在于，使用選自由式(I)表示的氫氟醚中的至少1種作為處理氣體：
CmF2m+1-O-CH2-R (I)
式中，R表示氫原子或者由CnF2n+1表示的氟烷基，m、n表示滿足1≤m≤3、3≤(m+n)≤4的整數。
2.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其中，所述氫氟醚為選自1,1,2,2,3,3,3-七氟丙基甲基醚和七氟異丙基甲基醚中的至少1種。
3.根據權利要求1或2所述的等離子體蝕刻方法，其中，使用相對于由所述式(I)表示的氫氟醚100容量份含有20～3000容量份稀有氣體的、由所述式(I)表示的氫氟醚和稀有氣體作為所述處理氣體。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于，在對硅氧化物和選自硅氮化物、硅和有機膜中的至少一種同時進行蝕刻時，選擇性地蝕刻硅氧化物。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
