[發(fā)明專(zhuān)利]高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580058661.2
• 申請(qǐng)日: 2015-09-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107078119B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·W·金;H·B·蔚;J·S·李;S·顧
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 李小芳;袁逸

一種高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)可包括觸點(diǎn)層。該觸點(diǎn)層包括具有面向有源管芯的第一表面和面向重分布層的第二表面的導(dǎo)電互連層。該高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)具有在該導(dǎo)電互連層的第一表面上的阻擋層。該高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)還可包括具有導(dǎo)電路由層的重分布層。該導(dǎo)電路由層可被配置成將第一導(dǎo)電互連耦合至該導(dǎo)電互連層。該高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步包括第一通孔，其耦合至該阻擋內(nèi)襯并且被配置成與至該有源管芯的第二導(dǎo)電互連相耦合。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)依據(jù)35U.S.C.§119(e)要求于2014年10月31日提交的題為“HIGH DENSITYFAN OUT PACKAGE STRUCTURE(高密度扇出封裝結(jié)構(gòu))”的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)No.62/073,804的權(quán)益，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)援引全部明確納入于此。

背景

領(lǐng)域

本公開(kāi)的諸方面涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及用于制造高密度扇出結(jié)構(gòu)的高密度扇出(HDFO)技術(shù)。

背景技術(shù)

用于集成電路(IC)的半導(dǎo)體制造的工藝流程可包括前端制程(FEOL)、中部制程(MOL)和后端制程(BEOL)工藝。前端制程工藝可包括晶片制備、隔離、阱形成、柵極圖案化、分隔件、擴(kuò)展和源極/漏極注入、硅化物形成、以及雙應(yīng)力內(nèi)襯形成。中部制程工藝可包括柵極觸點(diǎn)形成。中部制程層可包括但不限于：中部制程觸點(diǎn)、通孔或者非常靠近半導(dǎo)體器件晶體管或其他類(lèi)似有源器件的其他層。后端制程工藝可包括用于互連在前端制程和中部制程工藝期間創(chuàng)建的半導(dǎo)體器件的一系列晶片處理步驟。現(xiàn)代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的成功制造涉及所采用的材料和工藝之間的相互作用。

中介體是其中該中介體用作基底且片上系統(tǒng)(SoC)的半導(dǎo)體管芯被安裝在該基底上的管芯安裝技術(shù)。中介體是扇出晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的示例。中介體可包括導(dǎo)電跡線和導(dǎo)電通孔的布線層，該布線層用于路由半導(dǎo)體管芯(例如，存儲(chǔ)器模塊和處理器)與系統(tǒng)板之間的電連接。中介體可包括重分布層(RDL)，其將半導(dǎo)體器件(例如，管芯或芯片)的有效表面上的接合焊盤(pán)連接模式提供成更適合于連接到系統(tǒng)板的經(jīng)重分布連接模式。在大多數(shù)應(yīng)用中，中介體不包括有源器件(諸如二極管和晶體管)。

晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造可包括在形成重分布層之前根據(jù)芯片首先附連工藝將半導(dǎo)體器件(例如，管芯或芯片)附連至晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)。然而，芯片首先附連工藝可能由于在形成重分布層期間在半導(dǎo)體器件上的應(yīng)力和/或由于與重分布層相關(guān)聯(lián)的缺陷而使半導(dǎo)體器件有缺陷。

概覽

一種高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)可包括觸點(diǎn)層。該觸點(diǎn)層包括具有面向有源管芯的第一表面和面向重分布層的第二表面的導(dǎo)電互連層。該高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)具有在該導(dǎo)電互連層的第一表面上的阻擋層。該高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)還可包括具有導(dǎo)電路由層的重分布層。該導(dǎo)電路由層可被配置成將第一導(dǎo)電互連耦合至該導(dǎo)電互連層。該高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步包括第一通孔，其耦合至該阻擋內(nèi)襯并且被配置成與至該有源管芯的第二導(dǎo)電互連相耦合。

一種制造高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)的方法可包括在載體基板上制造觸點(diǎn)層。該觸點(diǎn)層可包括具有在第一表面上的阻擋內(nèi)襯的導(dǎo)電互連層。該方法還可包括制造重分布層(RDL)。該重分布層可包括配置成將第一導(dǎo)電互連耦合至該導(dǎo)電互連層的導(dǎo)電路由層。該方法可進(jìn)一步包括在移除該載體基板之后在該觸點(diǎn)層中的開(kāi)口內(nèi)沉積導(dǎo)電材料以形成布置在該阻擋內(nèi)襯上的第一通孔。該方法還可包括使用第二導(dǎo)電互連來(lái)將有源管芯附連至該通孔。在該導(dǎo)電互連層的第一表面上的該阻擋內(nèi)襯可面向該有源管芯。

一種高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)可包括觸點(diǎn)層。該觸點(diǎn)層包括具有面向有源管芯的第一表面的導(dǎo)電互連層。該高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)具有在該導(dǎo)電互連層的第一表面上的阻擋層。該高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)還可包括用于將第一導(dǎo)電互連耦合至該導(dǎo)電互連層的裝置。該導(dǎo)電互連層的第二表面可面向該耦合裝置。該高密度扇出封裝結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步包括第一通孔，其耦合至該阻擋內(nèi)襯并且被配置成與至該有源管芯的第二導(dǎo)電互連相耦合。