[發(fā)明專利]用于改善具有敏感層及反應(yīng)層的膜堆疊物的方法與結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580057814.1
• 申請(qǐng)日: 2015-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN107112197A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉祉淵;鮑新宇;埃羅爾·安東尼奧·C·桑切斯;大衛(wèi)·K·卡爾森;潘根用
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

1.一種緩沖結(jié)構(gòu)，包含：

含磷層，所述含磷層被沉積在硅基板上方；

含GaAs層，所述含GaAs層被沉積在所述含磷層上；及

含鋁層，所述含鋁層被沉積在所述含GaAs層上。

2.如權(quán)利要求1所述的緩沖結(jié)構(gòu)，其中所述含磷層是InP。

3.如權(quán)利要求2所述的緩沖結(jié)構(gòu)，其中所述含GaAs層是InGaAs。

4.如權(quán)利要求3所述的緩沖結(jié)構(gòu)，其中所述含鋁層是InAlAs。

5.如權(quán)利要求1所述的緩沖結(jié)構(gòu)，其中所述含鋁層具有小于的均方根粗糙度。

6.如權(quán)利要求1所述的緩沖結(jié)構(gòu)，其中所述含磷層具有范圍從約105nm至約660nm的厚度。

7.如權(quán)利要求1所述的緩沖結(jié)構(gòu)，其中所述含GaAs層具有范圍從約10nm至約50nm的厚度。

8.如權(quán)利要求1所述的緩沖結(jié)構(gòu)，其中所述含鋁層具有范圍從約20nm至約100nm的厚度。

9.一種半導(dǎo)體裝置，包含：

緩沖結(jié)構(gòu)，所述緩沖結(jié)構(gòu)包括：

InP層，所述Inp層被沉積在硅基板上方；及

第一InGaAs層，所述第一InGaAs層被沉積在所述InP層上；及

InAlAs層，所述InAlAs層被沉積在所述第一InGaAs層上；及

活性層，所述活性層被沉積在所述緩沖結(jié)構(gòu)上。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述活性層是第二InGaAs層。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述活性層包括多個(gè)交替的III-V族半導(dǎo)體層。

12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包含設(shè)置在所述硅基板與所述InP層之間的GaAs層。

13.一種用以形成緩沖結(jié)構(gòu)的方法，包含以下步驟：

沉積含磷層于硅基板上方；

沉積含GaAs層于所述含磷層上；及

沉積含鋁層于所述含GaAs層上。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述含GaAs層是InGaAs層并且由金屬氧化物化學(xué)氣相沉積來沉積。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述含鋁層是InAlAs層并且由金屬氧化物化學(xué)氣相沉積來沉積。