[發明專利]用于電子器件的材料

有效

• 申請號: 201580057767.0
• 申請日: 2015-10-02
• 公開（公告）號: CN107112437B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 約阿希姆·凱澤;克里斯托夫·普夫盧姆;阿恩特·耶格爾;托馬斯·多布伯蒂尼;岡特·施密特
• 申請（專利權）人: 默克專利有限公司;歐司朗奧萊德有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王潛;郭國清

本發明涉及包含式(A)的單芳基胺和所限定式的p型摻雜劑的材料。本發明還涉及所述材料在電子器件的有機層中的用途，所述器件優選是有機發光二極管(OLED)。

技術領域

本申請涉及包含所限定式(A)的單芳基胺和鉍的絡合物的材料。本申請還涉及所述材料在電子器件的有機層中的用途，所述器件優選是有機電致發光器件(OLED)。

背景技術

術語“包含”/“包括”在本申請的上下文中被理解為是指可存在其它的成分或步驟。不定冠詞“一個”/“一種”并不排除多個/種。

電子器件在本申請的上下文中被理解為是指所謂的有機電子器件，其包含有機半導體材料作為功能材料。

將有機化合物用作功能材料的OLED的結構描述于例如US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中。通常，術語OLED被理解為是指具有一個或多個包含有機化合物的層并且在施加電壓時發光的電子器件。

具有空穴傳輸功能的層(空穴傳輸層)，例如空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層，對電子器件的性能數據具有很大的影響。

現有技術公開了單芳基胺作為空穴傳輸層的材料的用途。這種單芳基胺描述于例如JP 1995/053955、WO 2006/123667、JP 2010/222268、WO 2012/034627、WO 2013/120577、WO 2014/015938和WO 2014/015935中。

此外，現有技術公開了在OLED的空穴傳輸層中使用p型摻雜劑與空穴傳輸材料的組合。這里的p型摻雜劑應理解為是指當作為次要成分添加到主要成分時顯著提高其電導率的化合物。

現有技術中已知的p型摻雜劑是有機電子受體化合物，例如7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(F4TCNQ)。例如在WO 2011/33023和WO 2013/182389中，現有技術還公開了過渡金屬陽離子和主族金屬陽離子的金屬絡合物作為p型摻雜劑。

現有技術中已知的空穴傳輸材料和現有技術中已知的p型摻雜劑導致了多種潛在可能的組合。其中，在現有技術中僅公開了幾種。這里在OLED的空穴傳輸層中可舉例提及作為p型摻雜劑的主族金屬絡合物與四胺(例如2,2',7,7'-四(N,N-二對甲苯基)氨基-9,9-螺二芴)的組合。這在WO 2013/182389中公開。來自現有技術的另一個實例是在OLED的空穴傳輸層中F4TCNQ與單芳基胺(例如三-對聯苯胺)的組合。這在WO 2013/135352中公開。

然而，在空穴傳輸層中包含這些材料的OLED在壽命和效率方面需要改進。

另外需要能夠高效摻雜具有低HOMO的空穴傳輸材料、特別是具有-5.0至-5.4eV范圍內的HOMO的空穴傳輸材料的p型摻雜劑，使得可以獲得具有合適電導率和低HOMO能級的摻雜劑-空穴傳輸材料組合。這里通過實施例中說明的方法來確定HOMO能量。合適且優選的電導率在10^-4S/m至10^-3S/m范圍內，該值由實施例中說明的方法確定。使用具有低HOMO的空穴傳輸材料是非常需要的，因為這不需要在空穴傳輸層與發光層之間插入具有低HOMO的另一個層。這使得能夠更簡單地構造OLED并因此實現更有效的生產過程。如果在空穴傳輸層與發光層之間插入另一個層，則在空穴傳輸層具有低HOMO的期望情況下，由于空穴傳輸層的HOMO不高于空穴傳輸層與發光層之間的層的HOMO，可以避免空穴勢壘并因此避免空穴傳輸層與發光層之間的電壓降。這可例如通過在空穴傳輸層和空穴傳輸層與發光層之間的另一個層中使用相同的材料來實現。

另外需要在可見區(VIS區)中僅具有低吸收的空穴傳輸材料-摻雜劑組合。現有技術中已知的p型摻雜劑例如NDP-2(可從Novaled AG購得)或氧化鉬摻雜劑與標準的空穴傳輸材料組合在VIS區中具有吸收。在VIS區中不存在顯著吸收帶是非常需要的，因為在VIS區中的吸收影響OLED的發光特性并使其效率劣化。