[發明專利]可變高壓射頻衰減器

在審

• 申請號: 201580057727.6
• 申請日: 2015-10-21
• 公開（公告）號: CN107078710A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: B·J·卡欽斯基;E·特洛弗茨
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03H7/25
• 分類號: H03H7/25;H03H11/24;H01L23/522;H01L27/08;H01L29/94;H01L23/64
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 陳煒,袁逸

1.一種用于選擇性地衰減RF輸入以產生RF輸出的高壓射頻(RF)衰減器，所述衰減器包括：

衰減器單元，包括

耦合電容器，所述耦合電容器具有連接到所述RF輸入的第一端子和連接到所述RF輸出的第二端子，以及

分壓電容器，所述分壓電容器具有連接到所述RF輸出的第一端子和連接到至接地參考的開關的第二端子，

其中，所述耦合電容器和所述分壓電容器形成在相同的集成電路區域中。

2.如權利要求1所述的衰減器，其特征在于，所述RF輸入被布置成將所述RF輸出與所述接地參考屏蔽。

3.如權利要求1所述的衰減器，其特征在于，所述衰減器單元進一步包括連接到所述RF輸入的金屬板，

其中，所述分壓電容器由具有多個金屬條帶的金屬-絕緣體-金屬電容器形成，

其中，所述金屬板位于所述金屬-絕緣體-金屬電容器與集成電路基板之間，以及

其中，所述耦合電容器的端子由所述金屬板和所述金屬-絕緣體-金屬電容器中連接到所述RF輸出的部分形成。

4.如權利要求3所述的衰減器，其特征在于，所述金屬板延伸超過所述金屬-絕緣體-金屬電容器。

5.如權利要求3所述的衰減器，其特征在于，所述金屬板形成在第一金屬層中。

6.如權利要求5所述的衰減器，其特征在于，所述金屬-絕緣體-金屬電容器的所述多個金屬條帶包括第三金屬層和第四金屬層。

7.如權利要求5所述的衰減器，其特征在于，所述金屬-絕緣體-金屬電容器的所述多個金屬條帶不包括第二金屬層。

8.如權利要求1所述的衰減器，其特征在于，進一步包括連接到所述RF輸出的鉗位電路。

9.如權利要求1所述的衰減器，其特征在于，所述開關是n溝道晶體管。

10.如權利要求9所述的衰減器，其特征在于，所述n溝道晶體管是低漏泄晶體管。

11.如權利要求1所述的衰減器，其特征在于，進一步包括第二衰減器單元，所述第二衰減器單元包括

第二耦合電容器，所述第二耦合電容器具有連接到所述RF輸入的第一端子和連接到所述RF輸出的第二端子，以及

第二分壓電容器，所述第二分壓電容器具有連接到所述RF輸出的第一端子和連接到至所述接地參考的第二開關的第二端子，

其中，所述第二耦合電容器和所述第二分壓電容器形成在相同的集成電路區域中。

12.一種用于選擇性地衰減RF輸入以產生RF輸出的高壓射頻衰減器，所述RF輸入包括正RF輸入和負RF輸入，所述RF輸出包括正RF輸出和負RF輸出，所述衰減器包括：

衰減器單元，包括

正側電容性分壓器，所述正側電容性分壓器包括耦合電容器和分壓電容器，耦合電容器具有連接到所述正RF輸入的第一端子和連接到所述正RF輸出的第二端子，分壓電容器具有連接到所述正RF輸出的第一端子，分壓電容器的第二端子連接到至接地參考的第一開關，其中，耦合電容器和分壓電容器形成在相同的集成電路區域中，以及

負側電容性分壓器，所述負側電容性分壓器包括耦合電容器和分壓電容器，耦合電容器具有連接到所述負RF輸入的第一端子和連接到所述負RF輸出的第二端子，分壓電容器連接到所述負RF輸出的第一端子，分壓電容器的第二端子連接到至所述接地參考的第二開關，其中，耦合電容器和分壓電容器形成在相同的集成電路區域中。

13.如權利要求12所述的衰減器，其特征在于，所述正RF輸入被布置成將所述正RF輸出與所述接地參考屏蔽，并且所述負RF輸入被布置成將所述負RF輸出與所述接地參考屏蔽。