[發(fā)明專利]消除基于GSHE-MTJ的電路中的非所要電流路徑

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580057658.9
• 申請日: 2015-10-01
• 公開（公告）號: CN107077881B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設計）人: 章堯君;文清·吳;肯德里克·海·良·袁;卡里姆·阿拉比
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16;G11C11/18;H03K3/45;H03K19/003;H03K19/18
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種自旋電子邏輯電路，其包括：

一或多個巨自旋霍耳效應GSHE磁性隧道結MTJ元件，其配置為邏輯門；以及

潛路徑防止邏輯，其耦合到所述一或多個GSHE MTJ元件，所述潛路徑防止邏輯經(jīng)配置以防止?jié)撀窂剑渲兴鰸撀窂桨ǎ?/p>

從所述自旋電子邏輯電路的既定管線級到非既定管線級的充電電流的流動，

經(jīng)配置以預設所述一或多個GSHE MTJ元件的預設電流的反向流動，或

其組合。

2.根據(jù)權利要求1所述的自旋電子邏輯電路，其包括：

充電電流產生電路，其經(jīng)配置以將寫入電流提供到所述一或多個GSHE MTJ元件，

其中所述潛路徑防止邏輯包括耦合到所述一或多個GSHE MTJ元件的一或多個晶體管，所述晶體管經(jīng)配置以限制所述寫入電流，不讓其在寫入操作期間從既定管線級流動到非既定管線級。

3.根據(jù)權利要求1所述的自旋電子邏輯電路，其中所述潛路徑防止邏輯包括一或多個二極管，其耦合到所述一或多個GSHE MTJ元件，且經(jīng)配置以阻止所述預設電流流入經(jīng)配置以將寫入電流提供到所述一或多個GSHE MTJ元件的輸入電路或充電電流產生電路中。

4.根據(jù)權利要求3所述的自旋電子邏輯電路，其進一步包括經(jīng)配置以為所述預設電流提供替代路徑的預設線。

5.根據(jù)權利要求1所述的自旋電子邏輯電路，其包括串流位加法器，所述串流位加法器包括單個位加法器，其經(jīng)配置以將兩個或更多個管線級中的一或多個位的串流相加，其中所述潛路徑防止邏輯包括經(jīng)配置以防止所述串流位加法器中的所述潛路徑的一或多個二極管。

6.根據(jù)權利要求5所述的自旋電子邏輯電路，其中所述單個位加法器包括：

經(jīng)配置以將第一輸入位、第二輸入位和進位入位相加以產生進位出位和總和位的邏輯，其中所述進位出位耦合到所述進位入位。

7.一種防止自旋電子邏輯電路中的潛路徑的方法，所述方法包括：

將一或多個潛路徑防止邏輯元件耦合到所述自旋電子邏輯電路的一或多個巨自旋霍耳效應GSHE磁性隧道結MTJ元件以形成邏輯門；以及

使用潛路徑防止邏輯元件來防止所述自旋電子邏輯電路中的潛路徑，其中所述潛路徑包括：

從所述自旋電子邏輯電路的既定管線級到非既定管線級的充電電流的流動，

用以預設所述一或多個GSHE MTJ元件的預設電流的反向流動，或

其組合。

8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其包括：

其中防止所述潛路徑包括防止充電電流產生電路所提供的寫入電流在寫入操作期間從既定管線級流動到非既定管線級。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述潛路徑防止邏輯包括耦合到所述一或多個GSHE MTJ元件的一或多個晶體管。

10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述潛路徑防止邏輯包括耦合到所述一或多個GSHE MTJ元件的一或多個二極管。

11.根據(jù)權利要求7所述的方法，其包括防止所述預設電流流入輸入電路或充電電流產生電路中，其中所述潛路徑防止邏輯包括耦合到所述一或多個GSHE MTJ元件的一或多個二極管。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其進一步包括將預設線耦合到一或多個GSHE MTJ元件，以為所述預設電流提供替代路徑。

13.根據(jù)權利要求7所述的方法，其包括將所述自旋電子邏輯電路配置為串流位加法器，所述串流位加法器包括用于將兩個或更多個管線級中的一或多個位的串流相加的單個位加法器，其中所述潛路徑防止邏輯包括經(jīng)配置以防止所述串流位加法器中的所述潛路徑的一或多個二極管。

14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其包括：在第一管線級中的所述單個位加法器中將第一輸入位、第二輸入位和進位入位相加以產生進位出位和總和位；以及將所述進位出位耦合到所述進位入位。