[發明專利]具有多個基板的微電子構件系統以及相應的制造方法有效
| 申請號: | 201580057449.4 | 申請日: | 2015-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN106852140B | 公開(公告)日: | 2019-07-19 |
| 發明(設計)人: | R.諾伊爾;T.奧姆斯;F.霍伊克;F.安特;C.舍林;M.哈塔斯 | 申請(專利權)人: | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 方莉;宣力偉 |
| 地址: | 德國斯*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 多個基板 微電子 構件 系統 以及 相應 制造 方法 | ||
1.具有多個基板的微電子構件系統,其具有
第一基板(C1),所述第一基板構造為具有第一集成度的電路基板;
第二基板(C2),所述第二基板構造為具有第二集成度的電路基板并且所述第二基板壓接到第一基板(C1)上;
第三基板(C3),所述第三基板構造為具有第三集成度的MEMS-傳感器基板并且所述第三基板壓接到第一基板(C1)或者第二基板(C2)上;
其中,所述第一集成度大于第二集成度。
2.按照權利要求1所述的微電子構件系統,其中,所述第二基板(C2)具有模擬電路系統。
3.按照權利要求1或2所述的微電子構件系統,其中,所述第一基板(C1)具有數字電路系統。
4.按照前述權利要求1或2所述的微電子構件系統,其中,所述第一基板(C1)具有小于或者等于180nm的最小結構參數。
5.按照前述權利要求1或2所述的微電子構件系統,其中,所述第二基板(C2)具有大于或者等于180nm的最小結構參數。
6.按照前述權利要求1或2所述的微電子構件系統,其中,所述第三基板(C3)具有至少一個慣性構件和/或壓力傳感器構件。
7.按照前述權利要求1或2所述的微電子構件系統,其中,構造有第四集成度的第四基板(C4)壓接到第一基板(C1)上。
8.按照權利要求7所述的微電子構件系統,其中,所述第四基板(C4)具有磁場傳感器構件和/或微處理器構件。
9.按照前述權利要求1或2所述的微電子構件系統,其中,所述第三基板(C3)具有未封裝的MEMS-構件并且借助氣密密封的壓接框架(L7、L8、L9)壓接到第二基板(C2)上,由此形成封裝。
10.按照權利要求1或2所述微電子構件系統,其中,所述第三基板(C3)具有單獨封裝的MEMS-構件。
11.用于按照權利要求1的微電子構件系統的制造方法,其具有以下步驟:
提供具有多個第一基板(C1)的晶片(CW);
分別地通過晶片/晶片-壓接過程將多個第三基板(C3)壓接到相應的多個第二基板(C2)上用于形成相應的多個相互壓接的基板對;
分離相互壓接的基板對;
通過芯片/晶片-壓接過程將相互壓接的基板對壓接到晶片(CW)上,從而相互壓接的基板對分別地壓接到晶片(CW)的第一基板(C1)上;并且
分離第一基板(C1),所述第一基板具有在其上壓接的相互壓接的基板對。
12.按照權利要求11所述的制造方法,其中,所述第三基板(C3)具有與第二基板(C2)相同的橫向尺寸。
13.按照前述權利要求11或12所述的制造方法,其中,第四基板(C4)壓接到所述第一基板(C1)上。
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