[發(fā)明專(zhuān)利]含有鉛-鎢基氧化物的厚膜糊料以及其在半導(dǎo)體裝置制造中的用途

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580056731.0
• 申請(qǐng)日: 2015-10-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107077908B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K·A·伯納迪娜;B·J·羅琳;P·D·韋努伊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: E.I.內(nèi)穆?tīng)柖虐罟?/a>
• 主分類(lèi)號(hào): H01B1/16
• 分類(lèi)號(hào): H01B1/16;H01B1/22;H01L31/0224;H01L31/18;C03C3/12;C03C8/10;C03C8/18;C09D5/24
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 江磊;朱黎明

1.一種厚膜糊料組合物，包含：

a)80-99.5wt％的選自下組的導(dǎo)電金屬源，該組由以下各項(xiàng)組成：Ag、Cu、Au、Pd、Pt、Sn、Al和Ni；

b)0.5至3wt％的無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物；以及

c)有機(jī)介質(zhì)；

其中所述導(dǎo)電金屬源和所述無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量為100wt％，所述導(dǎo)電金屬源和所述無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物分散在所述有機(jī)介質(zhì)中，并且其中以上wt％是基于所述導(dǎo)電金屬源和所述無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量，所述無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物包含55-88wt％的PbO、12-25wt％的WO₃和0-20wt％的一種或多種選自下組的附加氧化物，該組由以下各項(xiàng)組成：B₂O₃、Bi₂O₃、SiO₂、Al₂O₃、Li₂O、K₂O、Rb₂O、Na₂O、Cs₂O和MoO₃，其中PbO、WO₃和該一種或多種附加氧化物的wt％是基于所述無(wú)釩無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。

2.如權(quán)利要求1所述的厚膜糊料組合物，其中所述一種或多種附加氧化物選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：0-5wt％B₂O₃、0-10wt％Bi₂O₃、0-15SiO₂、0-5wt％Al₂O₃、0-5wt％Li₂O、0-5wt％K₂O、0-5wt％Rb₂O、0-5wt％Na₂O、0-5wt％Cs₂O、以及0-10MoO₃，并且其中該氧化物wt％是基于所述無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量。

3.如權(quán)利要求1所述的厚膜糊料組合物，其中所述導(dǎo)電金屬是Ag。

4.一種制備半導(dǎo)體裝置的方法，包括：

(a)提供一種制品，該制品包括設(shè)置在半導(dǎo)體基底的至少一個(gè)表面上的一個(gè)或多個(gè)絕緣膜；

(b)將厚膜糊料組合物施用到該一個(gè)或多個(gè)絕緣膜上以形成層狀結(jié)構(gòu)，該厚膜糊料組合物包含：

(i)80-99.5wt％的選自下組的導(dǎo)電金屬源，該組由以下各項(xiàng)組成：Ag、Cu、Au、Pd、Pt、Sn、Al和Ni；

(ii)0.5至3wt％的無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物；以及

(iii)有機(jī)介質(zhì)；

其中所述導(dǎo)電金屬源和所述無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量為100wt％，所述導(dǎo)電金屬源和所述無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物分散在所述有機(jī)介質(zhì)中，并且其中以上wt％是基于所述導(dǎo)電金屬源和所述無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量，所述無(wú)釩、無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物包含55-88wt％的PbO、12-25wt％的WO₃和0-20wt％的一種或多種選自下組的附加氧化物，該組由以下各項(xiàng)組成：B₂O₃、Bi₂O₃、SiO₂、Al₂O₃、Li₂O、K₂O、Rb₂O、Na₂O、Cs₂O和MoO₃，其中PbO、WO₃和該一種或多種附加氧化物的wt％是基于所述無(wú)釩無(wú)碲的鉛-鎢基氧化物的總重量；并且

(c)燒制所述半導(dǎo)體基底、所述一個(gè)或多個(gè)絕緣膜和所述厚膜糊料，其中所述厚膜糊料的所述有機(jī)介質(zhì)揮發(fā)，從而形成與所述一個(gè)或多個(gè)絕緣膜接觸并與所述半導(dǎo)體基底電接觸的電極。