[發明專利]保護電路在審
| 申請號: | 201580056682.0 | 申請日: | 2015-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN107078097A | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發明(設計)人: | 岡典正 | 申請(專利權)人: | 株式會社電裝 |
| 主分類號: | H01L21/822 | 分類號: | H01L21/822;H01L27/04;H02M1/00;H02M1/08;H03K17/08;H03K17/16 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人: | 胡建新,樸勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保護 電路 | ||
關聯申請的相互參照
本申請以2014年10月21日申請的日本專利申請2014-214425號為基礎,在此引用其記載內容。
技術領域
本發明涉及對電路進行保護的保護電路。
背景技術
以往,提出了一種驅動電路,對用于驅動負載的晶體管施加驅動信號(例如,參照專利文獻1)。根據該專利文獻1記載的技術,在成為晶體管IGBT的柵極電壓通過該集電極柵極間的寄生電容而發生變動時,由于該柵極電壓的變動,IGBT進行誤動作,或者IGBT的動作變得不穩定。為了抑制IGBT的柵極電壓的變動,對在IGBT的柵極/源極間連接的MOSFET進行導通驅動,從而使柵極電壓穩定,防止電路誤動作。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第4650688號公報
發明內容
在采用了專利文獻1記載的技術的情況下,若像靜電放電(ESD:Electro-Static Discharge)那樣的瞬間較大的噪聲被施加到IGBT的集電極,則可能會在該驅動電路產生異常。這樣的噪聲通過使IGBT進行自導通而向地線等放電用節點進行放電是所希望的。但是,在對強制使IGBT截止的MOSFET(相當于斷開電路)進行導通控制的情況下,IGBT被強制進行截止控制,不能引出ESD能量。
本發明的目的是提供一種保護電路,能夠使電路動作穩定并且能夠引出ESD能量。
根據本公開申請的一方式,保護電路具備周期性判定裝置、斷開電路以及控制裝置。周期性判定裝置直接或者間接地檢測具備控制端子的第1晶體管上所重疊的噪聲,對所檢測的噪聲的周期性進行判定。斷開電路與第1晶體管的控制端子連接,能夠使第1晶體管進行截止動作。控制裝置在通過周期性判定裝置判定為噪聲存在周期性時,通過斷開電路使第1晶體管進行截止動作,在通過周期性判定裝置判定為噪聲不存在周期性時使基于斷開電路的晶體管的截止動作失效。
此時,在重疊了沒有周期性的瞬間的噪聲的情況下,由于由周期性判定裝置判定為不存在噪聲的周期性,因此控制裝置不會通過斷開電路使第1晶體管強制地進行截止動作。其結果,第1晶體管進行自導通,從而能夠將ESD能量放電。
相反,在重疊了有周期性的噪聲的情況下,由于通過周期性判定裝置判定為存在噪聲的周期性,因此控制裝置通過斷開電路使第1晶體管強制地進行截止動作。此時,第1晶體管進行截止動作,因此能夠使電路動作穩定。
附圖說明
關于本發明的上述目的以及其他目的、特征、優點通過參照附圖并且下述的詳細的記述變得更明確。
圖1A是關于第1實施方式概要地表示保護電路的構成例的構成圖。
圖1B是概要地表示設置于保護電路的斷開電路的構成例的構成圖。
圖2是概要地表示各節點的電壓變化的時序圖。
圖3是關于第2實施方式概要地表示保護電路的構成例的構成圖。
圖4是概要地表示各節點的電壓變化的時序圖。
圖5是關于第3實施方式概要地表示保護電路的構成例的構成圖。
圖6是概要地表示各節點的電壓變化的時序圖。
圖7是關于第4實施方式概要地表示保護電路的構成例的構成圖。
圖8是關于第5實施方式概要地表示保護電路的構成例的構成圖。
具體實施方式
以下,參照附圖說明對保護對象電路進行保護以免受到噪聲引起的誤作動的影響以及浪涌電壓的影響的保護電路的幾個實施方式。在各實施方式中對相同或者類似部分標記相同或者類似符號,并且根據需要省略說明。
(第1實施方式)
圖1A、圖1B以及圖2表示第1實施方式的說明圖。該圖1A所示的電路示出了應用于對例如成為車輛用負載(例如電感性負載)的負載1進行驅動的晶體管驅動電路2的構成例。
該晶體管驅動電路2根據被輸入到輸入端子的數字信號,使得電源電壓(VB:例如12V)向負載1供電/非供電。晶體管驅動電路2是將主驅動部3以及N溝道型的MOS晶體管(以下,稱為NMOS晶體管)4連接而構成的,該主驅動部3在其輸入側具備恒流驅動型的逆變器,該N溝道型的MOS晶體管4是成為在主驅動部3的輸出端子連接有控制端子的驅動用的切換元件的晶體管。NMOS晶體管4相當于第1晶體管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





