[發(fā)明專利]具有TWC催化劑和SCR-HCT催化劑的排放處理系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580056503.3
• 申請日: 2015-10-21
• 公開（公告）號: CN107148512B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: X·鄭;C·紀(jì);W-M·薛;M·J·施拉德;X·王;T·羅;M·迪巴;K·瓦塞爾曼
• 申請（專利權(quán)）人: 巴斯夫公司
• 主分類號: F01N3/08
• 分類號: F01N3/08;F01N3/20;B01J29/40;B01J29/85
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 張蓉珺;林柏楠

1.一種用于內(nèi)燃機(jī)排氣流的排放處理系統(tǒng)，所述排氣流包含烴、一氧化碳和氮氧化物，所述系統(tǒng)包含：

經(jīng)排氣歧管與內(nèi)燃機(jī)流體連通的排氣管道；

在排氣管道中位于內(nèi)燃機(jī)下游的第一三通轉(zhuǎn)化催化劑，其中所述第一三通轉(zhuǎn)化催化劑表示為TWC-1催化劑；

在排氣管道中位于TWC-1催化劑下游的包含選擇性催化還原催化劑和烴捕集器的SCR-HCT催化劑，其中選擇性催化還原催化劑表示為SCR催化劑，烴捕集器表示為HCT；和

在排氣管道中位于SCR-HCT催化劑下游的第三催化劑，第三催化劑包含鉑族金屬。

2.權(quán)利要求1所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述SCR-HCT催化劑包含含有第一分子篩的SCR催化材料和含有不同于第一分子篩的第二分子篩的HCT材料，其中所述SCR催化材料和所述HCT材料都沉積在整料基底上。

3.權(quán)利要求2所述的排放處理系統(tǒng)，其中第一分子篩包含Cu-CHA沸石且第二分子篩包含Beta沸石。

4.權(quán)利要求2所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述SCR催化材料和所述HCT材料以10:1至1:10的重量比存在。

5.權(quán)利要求2所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述整料基底是流通型基底或壁流過濾器。

6.權(quán)利要求2所述的排放處理系統(tǒng)，其中第一分子篩包含含金屬助催化劑的8元環(huán)小孔沸石且第二分子篩包含10元環(huán)中等孔沸石或12元環(huán)大孔沸石。

7.權(quán)利要求6所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述10元環(huán)中等孔沸石或12元環(huán)大孔沸石包含金屬助催化劑。

8.權(quán)利要求6所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述8元環(huán)小孔沸石與銅和鐵的一種或多種離子交換，具有CHA、SAPO或AEI結(jié)構(gòu)。

9.權(quán)利要求7所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述10元環(huán)中等孔沸石或12元環(huán)大孔沸石具有在H⁺、NH⁴⁺、Cu交換或Fe交換形式下的ZSM-5、Beta或MFI結(jié)構(gòu)類型。

10.權(quán)利要求2所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述HCT材料和所述SCR催化材料在整料基底上的均勻混合層中。

11.權(quán)利要求2所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述HCT材料和所述SCR催化材料在整料基底上的分層配置中。

12.權(quán)利要求2所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述HCT材料和所述SCR催化材料在整料基底上的分區(qū)配置中。

13.權(quán)利要求1所述的排放處理系統(tǒng)，其中第三催化劑選自第二三通轉(zhuǎn)化催化劑、氧化催化劑和稀燃NOx捕集器，其中第二三通轉(zhuǎn)化催化劑表示為TWC-2催化劑。

14.權(quán)利要求1所述的排放處理系統(tǒng)，其中第三催化劑由外部源加熱。

15.權(quán)利要求1所述的排放處理系統(tǒng)，其中TWC-1催化劑和第三催化劑都包含載體，且其中第三催化劑的載體具有比TWC-1催化劑的載體小的熱質(zhì)量。

16.權(quán)利要求1所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述TWC-1催化劑位于緊耦合位置；且所述SCR-HCT催化劑和第三催化劑位于地板下位置。

17.權(quán)利要求1所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述TWC-1催化劑、所述SCR-HCT催化劑和第三催化劑都位于一個模塊中。

18.權(quán)利要求1所述的排放處理系統(tǒng)，其中所述SCR-HCT催化劑和第三催化劑都位于一個模塊中。