[發(fā)明專利]納米結(jié)構(gòu)多孔熱電發(fā)生器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580056464.7 | 申請(qǐng)日： | 2015-09-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107074666A | 公開（公告）日： | 2017-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | J·卡貝利 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 莫西克里克科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C04B35/64 | 分類號(hào)： | C04B35/64;H01L35/22;H01L35/26;H01L35/34 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所11038 | 代理人： | 李躍龍 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 結(jié)構(gòu) 多孔 熱電 發(fā)生器 | ||
1.制造摻雜型熱電材料的方法，包括：
將半導(dǎo)體基材料的粒料與摻雜劑混合；
研磨含有摻雜劑的半導(dǎo)體基材料粒料，以使得所述粒料具有小于3,000納米的中值尺寸，并且是基本上等軸的；和
在基本不含氧的氣氛中燒結(jié)含有摻雜劑的所述粒料以形成摻雜型熱電材料。
2.權(quán)利要求1的方法，其中所述半導(dǎo)體基材料包括選自硅、鍺、金剛石、碳化硅、硅鍺、砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、砷化鋁、磷化鋁、碲化鎘、硫化鎘、碲化鉍、黝銅礦和方鈷礦的材料。
3.權(quán)利要求1的方法，其中所述熱電材料是P型半導(dǎo)體，并且所述摻雜劑包括硼、鋁、鎵或類似的P型摻雜劑。
4.權(quán)利要求1的方法，其中所述熱電材料是N型半導(dǎo)體，并且所述摻雜劑包括磷、砷或類似的N型摻雜劑。
5.權(quán)利要求1的方法，其中所述摻雜劑包括鍺或類似的材料以改善該熱電材料的熱性能、電性能或機(jī)械性能。
6.權(quán)利要求1的方法，其中所述摻雜劑包括選自硒、碲、鍺、鎢、硼、磷和砷的元素。
7.權(quán)利要求1的方法，其中所述燒結(jié)在惰性氣氛中進(jìn)行。
8.權(quán)利要求1的方法，其中所述燒結(jié)在減壓下進(jìn)行。
9.權(quán)利要求1的方法，其中所述燒結(jié)在1000℃至1414℃的溫度下進(jìn)行。
10.摻雜型硅基熱電材料，包含：
具有小于3,000納米的中值顆粒尺寸的研磨硅晶粒粒子，所述研磨硅粒子是基本等軸的，以及
與研磨硅粒子混合以形成摻雜型含硅材料的摻雜劑，所述摻雜劑與研磨硅晶粒粒子相比降低該摻雜型含硅材料的導(dǎo)熱性，
所述摻雜型含硅材料在不存在氧化劑的情況下燒結(jié)以形成摻雜型硅基熱電材料。
11.權(quán)利要求10的摻雜型硅基熱電材料，其中所述摻雜型硅基熱電材料是P型半導(dǎo)體，并且所述摻雜劑包括硼、鋁、鎵或類似的P型摻雜劑。
12.權(quán)利要求10的摻雜型硅基熱電材料，其中所述摻雜型硅基熱電材料是N型半導(dǎo)體，并且所述摻雜劑包括磷、砷或類似的N型摻雜劑。
13.權(quán)利要求10的摻雜型硅基熱電材料，其中所述摻雜劑包括鍺或類似的材料以改善該摻雜型硅基熱電材料的熱性能、電性能或機(jī)械性能。
14.權(quán)利要求8的摻雜型硅基熱電材料，其中所述燒結(jié)在減壓下進(jìn)行。
15.制造摻雜型硅基熱電材料的方法，包括：
在不存在氧化劑的情況下將第一量的硅粒料引入到磨碎機(jī)中，
將第一量的硅粒料與摻雜劑混合以影響該熱電材料的半導(dǎo)體性能，
在該磨碎機(jī)中對(duì)與摻雜劑混合的所述第一量的硅粒料施以粉碎一段足以將至少一部分所述硅粒料降低到預(yù)先選擇的平均顆粒尺寸的時(shí)間，以制造基本無氧化劑的第二量的降低顆粒尺寸的摻雜硅粒料，所述第二量的降低顆粒尺寸的摻雜硅粒料具有小于3,000納米的中值尺寸，所述第二量的降低顆粒尺寸的摻雜硅粒料具有基本上等軸的晶粒粒子，
從所述磨碎機(jī)中取出至少一部分所述第二量的降低顆粒尺寸的摻雜硅粒料，
在不存在氧化劑的情況下破碎該摻雜硅粒料；
將所述摻雜的硅粒料壓制成預(yù)成型體；和
在不存在氧化劑的情況下燒結(jié)摻雜的硅粒料以形成摻雜型硅基熱電材料。
16.權(quán)利要求15的方法，其中所述摻雜型硅基熱電材料是P型半導(dǎo)體，并且所述摻雜劑包括硼、鋁、鎵或類似的P型摻雜劑。
17.權(quán)利要求15的方法，其中所述摻雜型硅基熱電材料是N型半導(dǎo)體，并且所述摻雜劑包括磷、砷或類似的N型摻雜劑。
18.權(quán)利要求15的方法，其中所述摻雜劑包括鍺或類似的材料以改善該摻雜型硅基熱電材料的熱性能、電性能或機(jī)械性能。
19.權(quán)利要求15的方法，其中所述摻雜劑包括選自硒、碲、鍺、鎢、硼、磷和砷的元素。
20.權(quán)利要求15的方法，其中所述燒結(jié)在減壓下進(jìn)行。
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