[發明專利]半導體裝置、液晶顯示裝置和半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201580056327.3
• 申請日: 2015-08-31
• 公開（公告）號: CN107078165B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 加藤純男;上田直樹
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;楊藝

1.一種半導體裝置，其包括基板和由所述基板支承的薄膜晶體管，該半導體裝置的特征在于，包括：

包含所述薄膜晶體管的柵極電極的第一金屬層；

設置在所述第一金屬層上的第一絕緣層；

設置在所述第一絕緣層上且包含所述薄膜晶體管的有源層的氧化物半導體層；

設置在所述氧化物半導體層上且包含覆蓋所述氧化物半導體層的溝道區域的部分的第二絕緣層；

設置在所述氧化物半導體層和所述第二絕緣層上且至少包含所述薄膜晶體管的源極電極的第二金屬層；

設置在所述第二金屬層上的第三絕緣層；和

設置在所述第三絕緣層上的第一透明電極層，

所述氧化物半導體層具有與所述柵極電極重疊的第一部分和從所述第一部分起橫穿所述柵極電極的所述薄膜晶體管的漏極電極側的邊緣地延伸設置的第二部分，

所述第三絕緣層不包含有機絕緣層，

在所述第二絕緣層和所述第三絕緣層中，形成有在從所述基板的法線方向看時與所述氧化物半導體層的所述第二部分重疊的第一接觸孔，

所述第一透明電極層包含在所述第一接觸孔內與所述氧化物半導體層的所述第二部分接觸的透明導電層，

所述半導體裝置具有多個像素，

所述多個像素中的各個像素包含所述薄膜晶體管和所述透明導電層，

所述透明導電層作為像素電極發揮作用，

所述半導體裝置還包括：

覆蓋所述第一透明電極層的第四絕緣層；和

設置在所述第四絕緣層上的第二透明電極層，

所述第二透明電極層包含不與所述像素電極電連接的透明電極，所述透明電極作為共用電極發揮作用，

所述第二金屬層還包含上部配線層，

在所述第三絕緣層和所述第四絕緣層中，形成有在從所述基板的法線方向看時與所述上部配線層重疊的第二接觸孔，

所述第二透明電極層還包含與所述共用電極電連接的透明連接層，

所述透明連接層在所述第二接觸孔內與所述上部配線層接觸。

2.一種半導體裝置，其包括基板和由所述基板支承的薄膜晶體管，該半導體裝置的特征在于，包括：

包含所述薄膜晶體管的有源層的氧化物半導體層；

設置在所述氧化物半導體層上的第一絕緣層；

設置在所述第一絕緣層上且包含所述薄膜晶體管的柵極電極的第一金屬層；

設置在所述第一金屬層上的第二絕緣層；

設置在所述第二絕緣層上且至少包含所述薄膜晶體管的源極電極的第二金屬層；

設置在所述第二金屬層上的第三絕緣層；和

設置在所述第三絕緣層上的第一透明電極層，

所述氧化物半導體層具有與所述柵極電極重疊的第一部分和從所述第一部分起橫穿所述柵極電極的所述薄膜晶體管的漏極電極側的邊緣地延伸設置的第二部分，

所述第三絕緣層不包含有機絕緣層，

在所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層中，形成有在從所述基板的法線方向看時與所述氧化物半導體層的所述第二部分重疊的第一接觸孔，

所述第一透明電極層包含在所述第一接觸孔內與所述氧化物半導體層的所述第二部分接觸的透明導電層，

所述半導體裝置具有多個像素，

所述多個像素中的各個像素包含所述薄膜晶體管和所述透明導電層，

所述透明導電層作為像素電極發揮作用，

所述半導體裝置還包括：

覆蓋所述第一透明電極層的第四絕緣層；和

設置在所述第四絕緣層上的第二透明電極層，

所述第二透明電極層包含不與所述像素電極電連接的透明電極，所述透明電極作為共用電極發揮作用，

所述第二金屬層還包含上部配線層，

在所述第三絕緣層和所述第四絕緣層中，形成有在從所述基板的法線方向看時與所述上部配線層重疊的第二接觸孔，

所述第二透明電極層還包含與所述共用電極電連接的透明連接層，

所述透明連接層在所述第二接觸孔內與所述上部配線層接觸。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第二金屬層還包含所述漏極電極，

在從所述基板的法線方向看時，所述第一接觸孔也與所述漏極電極的所述第二部分側的端部重疊。