[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、TFT背板、顯示器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580056201.6 | 申請日： | 2015-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN107078135B | 公開（公告）日： | 2021-09-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 權(quán)會容;金炯洙;金東潤 | 申請（專利權(quán)）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;劉久亮 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 tft 背板 顯示器 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：
基板，所述基板利用第一區(qū)域和第二區(qū)域來限定；
低溫多晶硅LTPS層，所述LTPS層被設(shè)置在所述第一區(qū)域中；
第一絕緣層，所述第一絕緣層被設(shè)置在所述第一區(qū)域中的所述LTPS層上；
金屬氧化物層，所述金屬氧化物層被設(shè)置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中，所述第一區(qū)域中的所述金屬氧化物層被設(shè)置在所述第一絕緣層上；
第二絕緣層，所述第二絕緣層被設(shè)置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中，所述第二絕緣層的在所述第二區(qū)域中的所述金屬氧化物層上的至少一些部分比所述第二絕緣層的在所述第二區(qū)域中的所述金屬氧化物層上的其它部分薄；
多個接觸孔，所述多個接觸孔使所述第一區(qū)域中的所述LTPS層的源極區(qū)和漏極區(qū)以及所述第二區(qū)域中的所述金屬氧化物層的源極區(qū)和漏極區(qū)暴露；
第一金屬層，所述第一金屬層在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中提供多個電極，所述第一區(qū)域中的所述第一金屬層包括與所述LTPS層的暴露的源極區(qū)和漏極區(qū)接觸的源極和漏極，并且所述第二區(qū)域中的所述第一金屬層包括與所述金屬氧化物層的暴露的源極區(qū)和漏極區(qū)接觸的源極和漏極以及通過所述第二絕緣層的較薄部分與所述金屬氧化物層絕緣的柵極；
第三絕緣層，所述第三絕緣層覆蓋所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的所述第一金屬層；以及
第二金屬層，所述第二金屬層經(jīng)由穿過所述第一金屬層與所述第二金屬層之間的第三絕緣層的接觸孔來與所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的源極和漏極中的至少一個接觸，
其中，所述第一區(qū)域中的所述LTPS層用作LTPS TFT的有源層并且所述第二區(qū)域中的所述金屬氧化物層用作氧化物TFT的有源層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一區(qū)域中的所述金屬氧化物層的電導(dǎo)率和所述第二區(qū)域中的所述金屬氧化物層的所述源極區(qū)和漏極區(qū)的電導(dǎo)率高于所述第二區(qū)域中的所述金屬氧化物層的溝道區(qū)的電導(dǎo)率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一區(qū)域中的所述金屬氧化物層用作所述LTPS TFT的柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二絕緣層分別用作所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的所述LTPS TFT和所述氧化物TFT的層間介電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置還包括所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的被插置在所述第三絕緣層與所述第二金屬層之間的第四絕緣層，其中，所述第三絕緣層是基于無機(jī)材料的鈍化層，并且所述第四絕緣層是基于有機(jī)材料的平整層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，與所述第一金屬層接觸的所述第二金屬層是有機(jī)發(fā)光元件的陽極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，與所述第一金屬層接觸的所述第二金屬層是在顯示器的像素電路與驅(qū)動電路之間進(jìn)行發(fā)送的導(dǎo)電線。
8.一種薄膜晶體管TFT背板，該TFT背板包括：
薄膜晶體管TFT陣列，所述TFT陣列包括氧化物薄膜晶體管TFT和低溫多晶硅LTPS TFT，其中，絕緣層被配置為用作所述LTPS TFT和所述氧化物TFT二者的層間介電層以及所述氧化物TFT的柵極絕緣層，
其中，所述氧化物TFT的柵極與所述氧化物TFT的源極和漏極是由相同的金屬層制成的，并且
其中，所述LTPS TFT的源極和漏極、所述氧化物TFT的源極和漏極以及所述氧化物TFT的柵極全部設(shè)置在所述絕緣層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT背板，其中，所述氧化物TFT的有源層和所述LTPS TFT的柵極是由金屬氧化物層制成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的TFT背板，其中，所述LTPS TFT的源極和漏極以及所述氧化物TFT的源極和漏極是由相同的金屬層制成的。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
