[發明專利]分子篩SSZ-102及其合成

有效

• 申請號: 201580056127.8
• 申請日: 2015-05-19
• 公開（公告）號: CN107074568B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 謝丹;S·I·佐內斯
• 申請（專利權）人: 雪佛龍美國公司
• 主分類號: C01B39/48
• 分類號: C01B39/48;B01J20/18;B01J29/70
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 孫愛

1.一種具有ESV骨架拓撲結構并具有5至12的SiO₂/Al₂O₃摩爾比的結晶分子篩，其中所述分子篩以其煅燒形式具有如下表所示的X射線衍射圖：

2-θ	d-間隔,nm	相對強度
7.60±0.20	1.162	W
8.01±0.20	1.103	M
9.74±0.20	0.908	M
12.02±0.20	0.736	M
13.44±0.20	0.658	VS
13.70±0.20	0.646	VS
14.11±0.20	0.627	VS
14.56±0.20	0.608	W
15.30±0.20	0.579	W
15.87±0.20	0.558	W
16.20±0.20	0.547	W
17.16±0.20	0.516	W
17.96±0.20	0.493	W
18.38±0.20	0.482	W
19.12±0.20	0.464	VS
19.31±0.20	0.459	VS
19.70±0.20	0.450	S
20.39±0.20	0.435	W
20.89±0.20	0.425	W
21.16±0.20	0.419	M
21.34±0.20	0.416	M

其中所提供的粉末XRD圖基于相對強度標度，其中X射線衍射圖中的最強線被指定為100：W＝弱，即>0至≤20；M＝中，即>20至≤40；S＝強，即>40至≤60；VS＝非常強，即>60至≤100。