[發(fā)明專利]具有離子改性的離子遷移譜儀

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580056073.5
• 申請日: 2015-10-14
• 公開（公告）號: CN107076703B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設計）人: J·阿特金森;A·克拉克
• 申請（專利權）人: 史密斯探測－沃特福特有限公司
• 主分類號: G01N27/62
• 分類號: G01N27/62
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權代理有限公司 11283
• 代理人: 金旭鵬;肖冰濱

1.一種離子遷移譜儀，包括：

樣本入口，包括被布置成允許氣態(tài)流體樣本從環(huán)境壓力區(qū)域流至所述離子遷移譜儀的低壓區(qū)域以被離子化的孔；

控制器，被布置成控制所述低壓區(qū)域中的氣壓低于環(huán)境壓力；以及

離子改性器，被配置成對所述低壓區(qū)域中的離子進行改性，其中所述離子從氣體樣本獲得，并且其中低壓區(qū)域包括漂移區(qū)域和漂移氣體流供應器，該漂移氣體流供應器被布置成沿著所述漂移區(qū)域向著所述樣本入口提供漂移氣體流，其中所述離子改性器包括設置在所述漂移區(qū)域中的電極。

2.根據(jù)權利要求1所述的離子遷移譜儀，其中所述控制器被布置成控制所述低壓區(qū)域中的氣壓低于環(huán)境壓力至少200毫巴。

3.根據(jù)權利要求1所述的離子遷移譜儀，其中所述控制器被布置成控制所述低壓區(qū)域中的氣壓低于環(huán)境壓力不超過800毫巴。

4.根據(jù)權利要求1所述的離子遷移譜儀，其中所述控制器被配置成按照第一模式來控制所述離子改性器以使離子經(jīng)受交變電場，以便在所述離子通過所述離子改性器時對所述離子進行改性，以及被配置成按照第二模式控制所述離子改性器以允許離子通過所述離子改性器。

5.根據(jù)權利要求1所述的離子遷移譜儀，其中所述樣本入口孔是可控制的，以限制氣體流通過所述樣本入口。

6.一種離子遷移譜儀，包括：

樣本入口，包括被布置成允許樣本從環(huán)境壓力區(qū)域通過所述離子遷移譜儀的低壓區(qū)域以被離子化的膜入口；

控制器，被布置成控制所述低壓區(qū)域中的氣壓低于環(huán)境壓力至少200毫巴；以及

離子改性器，被配置成對所述低壓區(qū)域中的離子進行改性，其中所述離子從氣體樣本獲得，并且其中低壓區(qū)域包括漂移區(qū)域和漂移氣體流供應器，該漂移氣體流供應器被布置成沿著所述漂移區(qū)域向著所述樣本入口提供漂移氣體流，其中所述離子改性器包括設置在所述漂移區(qū)域中的電極。

7.根據(jù)權利要求1至6中的任一者所述的離子遷移譜儀，其中所述控制器被布置成控制所述低壓區(qū)域中的氣壓低于環(huán)境壓力至少300mb。

8.根據(jù)權利要求1至6中任意一項所述的離子遷移譜儀，其中所述漂移區(qū)域被布置成逆向于向著檢測器的漂移氣體流而移動離子，以及所述離子改性器被布置成使所述離子經(jīng)受與所述離子向著所述檢測器移動的方向對齊的射頻RF電場。

9.根據(jù)權利要求8所述的離子遷移譜儀，其中所述離子改性器包括在所述離子向著所述檢測器移動的方向中間隔開的兩個電極。

10.根據(jù)權利要求9所述的離子遷移譜儀，其中所述電極的每一者包括導體網(wǎng)格。

11.根據(jù)權利要求1至6中任意一項所述的離子遷移譜儀，其中所述控制器被布置成控制以下至少一者以控制所述低壓區(qū)域中的所述氣壓：

所述漂移氣體流；以及

通過所述樣本入口的氣態(tài)流體的流。

12.根據(jù)權利要求1至6中的任一者所述的離子遷移譜儀，該離子遷移譜儀包括真空供應器，被配置成降低所述低壓區(qū)域中的氣壓。

13.根據(jù)權利要求12所述的離子遷移譜儀，其中所述控制器被配置成控制所述樣本入口孔和所述真空供應器中的至少一者以控制所述低壓區(qū)域中的所述氣壓。

14.根據(jù)權利要求1至6中任一者所述的離子遷移譜儀，其中所述控制器被配置成基于離子門的操作的定時來控制所述離子改性器的操作的定時。

15.根據(jù)權利要求1至5中任一者所述的離子遷移譜儀，其中所述樣本入口孔包括針孔入口和毛細入口中的一者。

16.根據(jù)權利要求1至6中任一者所述的離子遷移譜儀，其中所述控制器被配置成降低所述低壓區(qū)域中的所述氣壓使其小于900毫巴。