[發明專利]多重圖案化工藝的度量

有效

• 申請號: 201580055340.7
• 申請日: 2015-10-14
• 公開（公告）號: CN106796105B
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: S·潘戴夫;D·?？?/a>;A·庫茲涅佐夫
• 申請（專利權）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: G01B11/24
• 分類號: G01B11/24
• 代理公司: 11287 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 張世俊

1.一種度量方法，其包括：

為半導體晶片上的第一多個測量位點提供第一照明光量，其中所述第一多個測量位點中的每一者包含至少一個多重圖案化度量目標，所述多重圖案化度量目標以由多重圖案化工藝中的至少兩個圖案化步驟產生的至少一個所關注參數為特征，其中通過所述多重圖案化工藝制造的所述至少一個多重圖案化度量目標中的間距是被用在所述多重圖案化工藝中的光刻系統的光罩的多個間距，其中所述至少一個所關注參數指示由所述多重圖案化工藝導致的幾何誤差，其中位于一或多個所述第一多個測量位點處的至少一個所述多重圖案化度量目標不同于至少一個另一所述多重圖案化度量目標；

響應于提供到所述半導體晶片上的所述第一多個測量位點中的每一者的所述第一照明光量而檢測來自所述第一多個測量位點中的每一者的光量，經檢測光量包括第一光學測量數據量；

接收與所述半導體晶片上的所述第一多個測量位點的測量相關聯的所述第一光學測量數據量；

基于所述第一光學測量數據量及信號響應度量SRM模型確定與所述第一多個測量位點中的每一者相關聯的所述至少一個所關注參數的值，其中所述SRM模型是將所接收光學測量數據與所述至少一個所關注參數的值直接相關的輸入輸出模型測量模型；及

將所述至少一個所關注參數的所述值存儲于存儲器中。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

接收與第二多個測量位點相關聯的第二測量數據量，其中所述第二多個測量位點中的每一者包含以通過多重圖案化工藝的至少兩個圖案化步驟產生的至少一個所關注參數為特征的多重圖案化度量目標，其中在所述第二多個測量位點中的每一者處已知特征化所述多重圖案化度量目標的所述至少一個所關注參數；

至少部分基于所述第二測量數據量確定所述SRM測量模型；及

至少部分基于所述至少一個所關注參數的已知值訓練所述SRM測量模型。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第二測量數據量與實驗設計DOE晶片上的所述第二多個測量位點的測量相關聯，且在所述第二多個測量位點中的每一者處通過參考測量系統測量特征化所述多重圖案化度量目標的所述至少一個所關注參數。

4.根據權利要求2所述的方法，其中模擬所述第二測量數據量及在所述第二多個測量位點中的每一者處特征化所述多重圖案化度量目標的所述至少一個所關注參數。

5.根據權利要求2所述的方法，進一步包括：

通過縮減所述第二測量數據量的維度而提取所述第二測量數據量的一或多個特征，且其中確定所述SRM測量模型是至少部分基于所述一或多個特征。

6.根據權利要求5所述的方法，其中縮減所述第二測量數據量的所述維度涉及主成分分析。

7.根據權利要求5所述的方法，其中縮減所述第二測量數據量的所述維度涉及從所述第二測量數據量的個別信號選擇。

8.根據權利要求5所述的方法，其中縮減所述第二測量數據量的所述維度涉及非線性主成分分析。

9.根據權利要求5所述的方法，其中縮減所述第二測量數據量的所述維度涉及所述第二測量數據量的篩選。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述SRM測量模型是多目標模型。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一光學測量數據量包含標稱度量目標及至少一個輔助度量目標的測量，其中所述標稱度量目標及所述至少一個輔助度量目標兩者各自以通過多重圖案化工藝的至少兩個圖案化步驟產生的至少一個所關注參數為特征。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述至少一個輔助度量目標的所關注參數的值不同于所述標稱度量目標的所述所關注參數的值。