[發(fā)明專利]工件處理系統(tǒng)和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580055294.0
• 申請(qǐng)日: 2015-10-09
• 公開（公告）號(hào): CN107075662B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 摩根·D·艾文斯;凱文·安葛林;丹尼爾·迪斯塔蘇;約翰·哈塔拉;絲特芬·羅伯特·舍曼;約瑟·C·歐爾森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司
• 主分類號(hào): C23C14/22
• 分類號(hào): C23C14/22;C23C14/54;H01J37/32
• 代理公司: 11205 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 楊文娟;臧建明<國(guó)際申請(qǐng)>=PCT/US

本發(fā)明公開一種用于處理工件的系統(tǒng)和方法。用等離子室形成帶狀離子束，所述帶狀離子束經(jīng)提取孔口提取。在提取孔口旁邊平移工件以使工件的不同部分暴露于帶狀離子束。當(dāng)工件暴露于帶狀離子束時(shí)，改變與等離子室相關(guān)的至少一個(gè)參數(shù)。可變參數(shù)包含提取電壓占空比、工件掃描速度和離子束的形狀。在一些實(shí)施例中，工件整體暴露于帶狀離子束之后，當(dāng)參數(shù)改變時(shí)，旋轉(zhuǎn)工件并再次將其暴露于帶狀離子束。此序列可重復(fù)多次。

本申請(qǐng)要求2014年10月16日申請(qǐng)的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)第62/064,740號(hào)以及2015年10月8日申請(qǐng)的美國(guó)專利申請(qǐng)第14/848,519號(hào)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的公開內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實(shí)施例針對(duì)于用于處理工件的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)

通常用等離子室產(chǎn)生等離子體。隨后從等離子室經(jīng)孔口提取出這個(gè)等離子體中的離子以形成離子束。這個(gè)等離子體可以用不同方式產(chǎn)生。在一個(gè)實(shí)施例中，天線置于等離子室外部，在介電窗旁邊。隨后，使用RF電源激發(fā)天線。接著由天線產(chǎn)生的電磁能穿過介電窗以激發(fā)置于等離子室內(nèi)的原料氣。

然后經(jīng)提取孔口提取產(chǎn)生的等離子體。在一些實(shí)施例中，提取孔口可為矩形或橢圓形，其長(zhǎng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于開口的寬度。提取的離子束可為帶狀離子束。但是，在這些實(shí)施例中，從等離子室提取的帶狀離子束可能在提取孔口的整個(gè)長(zhǎng)度上不具有所需的均勻性。舉例而言，離子密度在靠近帶狀離子束中心處可能較大，在遠(yuǎn)離中心的區(qū)域離子密度可能降低。

此外，在一些實(shí)施例中，需要以不均勻的方式處理工件，以使工件的特定區(qū)域的處理多于其他區(qū)域。因此，如果存在一種用于處理工件且能夠?qū)崿F(xiàn)所需處理的改良系統(tǒng)和方法將是有益的。更明確而言，宜更加精細(xì)地控制使用等離子室處理的工件的一或多個(gè)參數(shù)的均勻性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明公開一種用于處理工件的系統(tǒng)和方法。用等離子室形成經(jīng)提取孔口提取的帶狀離子束。在提取孔口旁邊平移工件，以使工件的不同部分暴露于帶狀離子束。當(dāng)工件暴露于帶狀離子束時(shí)，改變與等離子室相關(guān)的至少一個(gè)參數(shù)。可變參數(shù)包含提取電壓占空比、工件掃描速度和離子束的形狀。一些實(shí)施例中，在工件的至少一些部分暴露于帶狀離子束之后，在改變參數(shù)的同時(shí)，旋轉(zhuǎn)工件并將其再次暴露于帶狀離子束。此序列可重復(fù)多次。

根據(jù)第一實(shí)施例，公開了一種使用等離子室處理工件的方法。所述方法包括經(jīng)等離子室的提取孔口提取帶狀離子束；相對(duì)于等離子室平移工件以使工件的不同部分暴露于帶狀離子束；以及在平移工件時(shí)改變等離子室的至少一個(gè)參數(shù)。在一些實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括在工件的至少一些部分暴露于帶狀離子束之后旋轉(zhuǎn)工件；以及多次重復(fù)平移、改變和旋轉(zhuǎn)操作以實(shí)現(xiàn)所需圖案。

根據(jù)第二實(shí)施例，公開了一種蝕刻具有不均勻厚度的工件的方法。所述方法包括確定除去不均勻厚度的蝕刻圖案；以及使用從等離子室提取的帶狀離子束將蝕刻圖案施加到工件上。

根據(jù)第三實(shí)施例，公開了一種用于處理工件的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包括具有提取孔口的等離子室，可從所述提取孔口提取帶狀離子束；可移動(dòng)表面，工件置于其上以在提取孔口旁邊經(jīng)過；以及控制器；其中控制器被配置以在工件經(jīng)過提取孔口時(shí)改變等離子室的一或多個(gè)參數(shù)。

附圖說明

為了更好地理解本公開，將參考附圖，所述附圖以引用的方式并入本文中并且其中：

圖1顯示了等離子室的第一實(shí)施例的側(cè)視圖。

圖2A-圖2C顯示了處理之前的各個(gè)工件。

圖3A顯示了處理之前的一個(gè)工件。

圖3B顯示了處理之后的圖3A的工件。

圖4顯示了工件區(qū)域的代表性圖示。

圖5A顯示了等離子室的第二實(shí)施例的側(cè)視圖。