[發明專利]通過氣相沉積法在撓性基板上成膜的方法

在審

• 申請號: 201580055179.3
• 申請日: 2015-10-13
• 公開（公告）號: CN106795623A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 今真人
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/56;C23C16/455;C23C16/54;H01L21/316
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 張蘇娜,常海濤

1.一種在撓性基板上制作薄膜的成膜方法，其包括以下工序：

使所述撓性基板通過真空室內的其中導入有含金屬或硅的原料氣體的第一區域，從而使所述原料氣體中所含的成分吸附到所述撓性基板上的工序；以及

使所述撓性基板通過所述真空室內的與所述第一區域相隔離并且包括含金屬或硅的靶材的第二區域，從而進行濺射成膜的工序。

2.根據權利要求1所述的成膜方法，其中，在使所述撓性基板通過所述第一區域的工序和使所述撓性基板通過所述第二區域的工序之間，進一步包括使所述撓性基板通過其中導入有惰性氣體的第三區域的工序。

3.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其中，所述原料氣體中包含的金屬成分與所述靶材中包含的金屬成分相同。

4.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其中，所述原料氣體中包含的金屬成分與所述靶材中包含的金屬成分不同。

5.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其中，所述靶材包含硅。

6.根據權利要求1、2和5中任一項所述的成膜方法，其中，

所述第二區域包括多個所述靶材，并且

所述靶材中的至少兩個所含的材質的成分不同，或者該成分的比例不同。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的成膜方法，其中，在所述第二區域中，通過反應濺射來進行成膜。

8.根據權要求1至7中任一項所述的成膜方法，其中，所述撓性基板通過所述第二區域一次時所形成的濺射膜的膜厚為0.2nm以上。