[發(fā)明專(zhuān)利]液晶裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580055050.2
• 申請(qǐng)日: 2015-10-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106796374A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大平·褚;李昆
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 劍橋企業(yè)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1337
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1337;G02F1/137
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262
• 代理人: 牟靜芳,鄭霞

1.一種液晶裝置，包括：

由第一單元壁和第二單元壁界定的液晶材料層，所述第一單元壁設(shè)置有第一電極結(jié)構(gòu)并且所述第二單元壁設(shè)置有第二電極結(jié)構(gòu)，并且所述第一單元壁和所述第二單元壁被分開(kāi)了距離d_c，其中所述液晶材料層與多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)相關(guān)聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中由缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)產(chǎn)生的至少一個(gè)缺陷的寬度為w_d，并且其中w_d>d_c。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中由缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)產(chǎn)生的至少一個(gè)缺陷的寬度為w_d，并且其中w_d<5d_c。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中由缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)產(chǎn)生的至少一個(gè)缺陷的寬度為w_d，并且其中w_d<d_c。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中由缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)產(chǎn)生的至少兩個(gè)相鄰缺陷之間的間隔為d_d，并且其中d_d>d_c。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中由缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)產(chǎn)生的至少兩個(gè)相鄰缺陷之間的間隔為d_d，并且其中d_d>w_d。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中至少第一中間層被設(shè)置在所述液晶材料層與所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)中的至少一種之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述中間層是釘扎層，并且所述釘扎層包括所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述中間層是介電層，并且所述介電層包括所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)中的至少一種是多連接的，使得所述電極結(jié)構(gòu)包括多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)二者都是多連接的，使得所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)二者都包括多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)大體上延伸跨越所述電極結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的裝置，其中缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)的密度遍及所述電極結(jié)構(gòu)是近似恒定的。

14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述多個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)包括缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)的陣列。

15.根據(jù)權(quán)利要求10至14中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，第一密度的缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)存在于所述電極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域中，并且第二密度的缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)存在于所述電極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域中，并且其中所述第一密度不同于所述第二密度。

16.根據(jù)權(quán)利要求10至15中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述陣列中的每個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)的寬度對(duì)于所述陣列中的每個(gè)缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)是大體上相等的。

17.根據(jù)權(quán)利要求10至16中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)是在所述電極結(jié)構(gòu)中的具有寬度w_h的通孔。

18.根據(jù)權(quán)利要求10至16中任一項(xiàng)所述的裝置，其中包括所述缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)的至少所述第一電極結(jié)構(gòu)或所述第二電極結(jié)構(gòu)中的一種被圖案化，圖案包括具有不同功函數(shù)的材料的區(qū)域，使得功函數(shù)中的差異產(chǎn)生缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中至少第一中間層被設(shè)置在所述液晶材料層與所述第一電極結(jié)構(gòu)和所述第二電極結(jié)構(gòu)中的至少一種之間，并且其中所述液晶材料、所述電極結(jié)構(gòu)和所述中間層由各自具有功函數(shù)的材料或表面形成，使得功函數(shù)中的差異產(chǎn)生缺陷產(chǎn)生位點(diǎn)。

20.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中所述液晶材料是近晶型A液晶材料。

21.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的裝置，其中所述液晶材料是近晶型A液晶材料與聚合物和/或著色劑的混合物。