[發(fā)明專利]損耗介質(zhì)上的引導(dǎo)表面波模式的激勵和使用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580054962.8
• 申請日: 2015-06-12
• 公開（公告）號: CN106797065B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J.F.科勒姆;K.L.科勒姆
• 申請（專利權(quán)）人: CPG技術(shù)有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01P3/00
• 分類號: H01P3/00;H01Q1/04;H01Q1/36;H01Q9/32;H01Q13/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一種引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，包括：

充電端子，在損耗傳導(dǎo)介質(zhì)上提升；以及

耦合電路，被配置為將激勵源耦合到所述充電端子，所述耦合電路被配置為：向所述充電端子提供建立電場的電壓，所述電場具有在距所述引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭的漢克爾超前距離(R_x)處以復(fù)數(shù)布魯斯特角(ψ_i，B)的正切與所述損耗傳導(dǎo)介質(zhì)相交的波傾斜(W)。

2.如權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述耦合電路包括所述激勵源與所述充電端子之間所耦合的線圈。

3.如權(quán)利要求2所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述線圈是螺旋線圈。

4.如權(quán)利要求2所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述激勵源經(jīng)由抽頭連接耦合到所述線圈。

5.如權(quán)利要求4所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述抽頭連接處于所述線圈上的阻抗匹配點(diǎn)處。

6.如權(quán)利要求4所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)耦合在所述激勵源與所述線圈上的抽頭連接之間。

7.如權(quán)利要求2所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述激勵源磁耦合到所述線圈。

8.如權(quán)利要求2所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述充電端子經(jīng)由抽頭連接耦合到所述線圈。

9.如權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述充電端子位于與所述引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭的有效高度的幅值對應(yīng)的物理高度(h_p)處，其中，所述有效高度由給出，其中，R_x是指漢克爾超前距離，對于Ψ_i,B＝(π/2)-θ_i,B，Ψ_i,B是指復(fù)數(shù)布魯斯特角，h_p是指與所述引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭的有效高度的幅值對應(yīng)的物理高度，并且Φ是所述有效高度的相位。

10.如權(quán)利要求9所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述相位Φ近似等于與所述復(fù)數(shù)布魯斯特角對應(yīng)的照射的波傾斜的角度Ψ。

11.如權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述充電端子具有有效球面直徑，并且所述充電端子位于所述有效球面直徑的至少四倍的高度處。

12.如權(quán)利要求11所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述充電端子是球面端子，具有等于所述球面端子的直徑的所述有效球面直徑。

13.如權(quán)利要求11所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述充電端子的高度大于與所述引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭的有效高度的幅值對應(yīng)的物理高度(h_p)，其中，所述有效高度由給出，R_x是指漢克爾超前距離，對于Ψ_i,B＝(π/2)-θ_i,B，Ψ_i,B是指復(fù)數(shù)布魯斯特角，h_p是指與所述引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭的有效高度的幅值對應(yīng)的物理高度，并且Φ是所述有效高度的相位。

14.如權(quán)利要求13所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，還包括補(bǔ)償端子，位于所述充電端子之下，所述補(bǔ)償端子耦合到所述耦合電路。

15.如權(quán)利要求14所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述補(bǔ)償端子位于所述充電端子之下的、等于所述物理高度(h_p)的距離處。

16.如權(quán)利要求15所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，Φ是所述補(bǔ)償端子與所述充電端子之間的復(fù)數(shù)相位差。

17.如權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)表面波導(dǎo)探頭，其中，所述損耗傳導(dǎo)介質(zhì)是地面介質(zhì)。