[發(fā)明專利]反熔絲存儲(chǔ)器及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580054930.8
• 申請(qǐng)日: 2015-10-09
• 公開（公告）號(hào): CN107112326B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 谷口泰弘;葛西秀男;川嶋泰彥;櫻井良多郎;品川裕;奧山幸祐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社佛羅迪亞
• 主分類號(hào): H01L27/10
• 分類號(hào): H01L27/10;G11C16/02;G11C16/06;G11C17/06
• 代理公司: 北京海智友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11455
• 代理人: 吳京順;張倩

1.一種反熔絲存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

存儲(chǔ)器電容，所述存儲(chǔ)器電容包括：阱；整流元件形成層，形成在所述阱的表面上，由絕緣部件形成；擴(kuò)散區(qū)域，形成在所述阱的表面上，其中，在所述整流元件形成層和所述擴(kuò)散區(qū)域之間的所述阱上，通過(guò)存儲(chǔ)器柵絕緣膜設(shè)置有存儲(chǔ)器柵極，在所述擴(kuò)散區(qū)域連接有位線；

整流元件，設(shè)置在所述存儲(chǔ)器柵極和字線之間，

所述整流元件由N型MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)晶體管構(gòu)成，一端的源區(qū)域與所述存儲(chǔ)器柵極連接，且另一端的漏區(qū)域與所述字線連接，整流元件柵極與所述字線連接，通過(guò)使溝道處于非導(dǎo)通狀態(tài)，由此阻斷從所述存儲(chǔ)器柵極向所述字線的電壓施加，或者，

所述整流元件由P型MOS晶體管構(gòu)成，一端的源區(qū)域與所述存儲(chǔ)器柵極連接，且另一端的漏區(qū)域與所述字線連接，整流元件柵極與所述存儲(chǔ)器柵極連接，通過(guò)使溝道處于非導(dǎo)通狀態(tài)，由此阻斷從所述存儲(chǔ)器柵極向所述字線的電壓施加，

所述整流元件柵極與所述存儲(chǔ)器柵極形成在相同層上，且所述整流元件柵極和所述存儲(chǔ)器柵極形成為相同的膜厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲存儲(chǔ)器，其特征在于，

多個(gè)所述存儲(chǔ)器電容的各所述存儲(chǔ)器柵極與一個(gè)所述整流元件連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反熔絲存儲(chǔ)器，其特征在于，

在共用一個(gè)所述整流元件的各所述存儲(chǔ)器電容中，分別設(shè)置有所述位線。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反熔絲存儲(chǔ)器，其特征在于，

在共用一個(gè)所述整流元件的各所述存儲(chǔ)器電容共用所述位線。

5.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，

在多個(gè)字線和多個(gè)位線的各交叉部位配置有反熔絲存儲(chǔ)器，

所述反熔絲存儲(chǔ)器為根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的反熔絲存儲(chǔ)器。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，

包括一個(gè)所述反熔絲存儲(chǔ)器和與所述反熔絲存儲(chǔ)器成對(duì)的另一所述反熔絲存儲(chǔ)器，

在對(duì)一個(gè)所述反熔絲存儲(chǔ)器和另一所述反熔絲存儲(chǔ)器寫入相同數(shù)據(jù)時(shí)，在向一個(gè)所述反熔絲存儲(chǔ)器寫入數(shù)據(jù)后，再向另一所述反熔絲存儲(chǔ)器寫入數(shù)據(jù)。