[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201580054929.5
• 申請日: 2015-10-06
• 公開（公告）號: CN107112237B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 谷口泰弘;川嶋泰彥;葛西秀男;櫻井良多郎;品川裕;奧山幸祐
• 申請（專利權）人: 株式會社佛羅迪亞
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/522;H01L27/088;H01L27/10;H01L27/11548;H01L29/788;H01L29/792
• 代理公司: 北京海智友知識產權代理事務所(普通合伙) 11455
• 代理人: 吳京順;張倩

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

存儲器柵構造體，依次層疊有下部柵絕緣膜、電荷存儲層、上部柵絕緣膜及存儲器柵極；

接觸器設置構造體，具有依次層疊有所述電荷存儲層、所述上部柵絕緣膜及隔離存儲器柵極的結構，并與所述存儲器柵構造體電隔離，其中，所述隔離存儲器柵極由與所述存儲器柵極相同層構成；

側壁型選擇柵極，在所述存儲器柵構造體的側壁夾著側壁隔片以側壁形狀形成，同時在所述接觸器設置構造體的側壁夾著所述側壁隔片以側壁形狀形成，所述側壁型選擇柵極從所述存儲器柵構造體到所述接觸器設置構造體連續設置；及

接觸器，以從所述接觸器設置構造體的頂部跨至所述側壁隔片和所述側壁型選擇柵極的方式立設。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述存儲器柵極的側壁的所述側壁隔片和與所述側壁隔片相對配置的所述隔離存儲器柵極的側壁的所述側壁隔片之間的區域，所述側壁型選擇柵極無間隙地形成。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

當所述存儲器柵極的側壁與所述隔離存儲器柵極的側壁的相隔距離表示為Dp，從所述存儲器柵極的側壁的所述側壁隔片開始的所述側壁型選擇柵極的厚度表示為Dsw，所述存儲器柵極與所述側壁型選擇柵極之間的所述側壁隔片的厚度表示為Dsp時，成立Dp＜(2×Dsp)+(2×Dsw)的關系。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述側壁型選擇柵極由第一選擇柵極和第二選擇柵極構成，所述第一選擇柵極沿著所述存儲器柵極的一側壁的所述側壁隔片以側壁形狀形成，所述第二選擇柵極沿著所述存儲器柵極的另一側壁的所述側壁隔片以側壁形狀形成，所述第一選擇柵極與所述第二選擇柵極電隔離。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述存儲器柵構造體以直線狀形成，

所述接觸器設置構造體由第一接觸器設置構造體和第二接觸器設置構造體構成，所述第一接觸器設置構造體配置在所述存儲器柵構造體的長度方向的一端側，所述第二接觸器設置構造體配置在所述存儲器柵構造體的長度方向的另一端側，

所述接觸器由第一接觸器和第二接觸器構成，所述第一接觸器以從所述第一接觸器設置構造體的頂部跨至所述側壁隔片和所述第一選擇柵極的方式立設，所述第二接觸器以從所述第二接觸器設置構造體的頂部跨至所述側壁隔片和所述第二選擇柵極的方式立設。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一接觸器設置構造體和所述第二接觸器設置構造體分別以帶狀形成，且配置在與所述存儲器柵構造體的長度方向相同的直線上。

7.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

接觸器設置構造體形成工序，通過在基板上依次將下部柵絕緣膜、電荷存儲層、上部柵絕緣膜及存儲器柵極分別以層狀層疊后對其實施圖案化處理，由此形成依次層疊所述下部柵絕緣膜、所述電荷存儲層、所述上部柵絕緣膜及所述存儲器柵極的存儲器柵構造體，同時形成依次層疊所述電荷存儲層、所述上部柵絕緣膜、由與所述存儲器柵極相同層構成的隔離存儲器柵極且與所述存儲器柵構造體電隔離的接觸器設置構造體；

側壁隔片形成工序，沿著所述存儲器柵構造體和所述接觸器設置構造體的各側壁形成側壁隔片；

選擇柵極形成工序，以覆蓋側壁被所述側壁隔片覆蓋的所述存儲器柵構造體和所述接觸器設置構造體的方式形成導電層后，通過對所述導電層回蝕，由此形成在從所述存儲器柵構造體到所述接觸器設置構造體的各側壁夾著所述側壁隔片連續設置的側壁形狀的選擇柵極；及

接觸器形成工序，形成以從所述接觸器設置構造體的頂部跨至所述選擇柵極的方式立設的接觸器。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述接觸器設置構造體形成工序中，形成兩個以上的所述接觸器設置構造體，

在所述選擇柵極形成工序中，作為所述選擇柵極，形成側壁形狀的第一選擇柵極和側壁形狀的第二選擇柵極，其中，所述第一選擇柵極和所述第二選擇柵極在所述存儲器柵構造體的所述側壁夾著所述側壁隔片以側壁形狀形成，同時在所述接觸器設置構造體的所述側壁夾著所述側壁隔片以側壁形狀形成，所述第一選擇柵極和所述第二選擇柵極從所述存儲器柵構造體到所述接觸器設置構造體連續設置，所述第一選擇柵極和所述第二選擇柵極電隔離；

在所述接觸器形成工序中，形成以從一所述接觸器設置構造體的頂部跨至所述第一選擇柵極的方式立設的一所述接觸器，和以從另一所述接觸器設置構造體的頂部跨至所述第二選擇柵極的方式立設的另一所述接觸器。