[發明專利]加熱冷卻設備有效
| 申請號: | 201580054134.4 | 申請日: | 2015-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN107112247B | 公開(公告)日: | 2019-09-20 |
| 發明(設計)人: | 橫山勝治;松下毅;中原浩昭;竹內正樹;和田剛典;菊池昌宏;五十嵐嘉男;成瀬光洋;百瀬政弘 | 申請(專利權)人: | 富士電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;B23K1/00;B23K1/002;B23K1/008;B23K3/04;B23K31/02;H05K3/34 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 冷卻 設備 | ||
1.一種加熱冷卻設備,其特征在于,具備:
氣密性的處理室,其具有能夠取出和放入被處理構件的開閉機構;
感應加熱裝置,其對所述被處理構件進行加熱,包括一個或多個感應加熱線圈;
冷卻裝置,其對所述被處理構件進行冷卻;
溫度傳感器,其用于測量所述被處理構件的溫度;以及
控制裝置,其基于由所述溫度傳感器測量出的溫度來對所述感應加熱裝置和所述冷卻裝置進行控制,
其中,在所述加熱冷卻設備中設置有移動裝置,該移動裝置使所述被處理構件和/或所述冷卻裝置的冷卻部移動,來變更所述被處理構件與所述冷卻裝置的冷卻部之間的距離,
所述加熱冷卻設備還具備冷卻板,其位于所述被處理構件與所述感應加熱線圈之間。
2.根據權利要求1所述的加熱冷卻設備,其特征在于,
所述感應加熱線圈配置于所述被處理構件的下方,
所述冷卻部的冷卻機構與所述感應加熱線圈一體化。
3.根據權利要求2所述的加熱冷卻設備,其特征在于,
通過使所述感應加熱線圈為中空構造,所述冷卻機構形成能夠供制冷劑循環的流路。
4.根據權利要求3所述的加熱冷卻設備,其特征在于,
所述冷卻部具備所述冷卻板,該冷卻板在冷卻時與所述中空構造的感應加熱線圈的上表面抵接。
5.根據權利要求2所述的加熱冷卻設備,其特征在于,具備:
制冷劑的流路,其作為所述冷卻機構配置于所述冷卻板的下方,所述感應加熱線圈浸在該制冷劑中。
6.根據權利要求4所述的加熱冷卻設備,其特征在于,
所述冷卻板由碳化硅、氮化硅或氮化鋁的陶瓷形成。
7.根據權利要求5所述的加熱冷卻設備,其特征在于,
所述冷卻板由碳化硅、氮化硅或氮化鋁的陶瓷形成。
8.根據權利要求1所述的加熱冷卻設備,其特征在于,
在所述加熱冷卻設備中配置有絕緣罩,該絕緣罩覆蓋所述感應加熱線圈的表面,由具有耐熱性的絕緣性材料形成。
9.根據權利要求1所述的加熱冷卻設備,其特征在于,
所述冷卻部配置于所述被處理構件的下方,
所述感應加熱線圈配置于所述被處理構件的上方。
10.根據權利要求1所述的加熱冷卻設備,其特征在于,
所述冷卻部配置于所述被處理構件的下方,
所述感應加熱線圈配置于所述冷卻部的下方。
11.根據權利要求4所述的加熱冷卻設備,其特征在于,
所述控制裝置以向所述感應加熱裝置供給的通電電流及頻率、向所述冷卻裝置供給的制冷劑的入口溫度及流量、所述被處理構件與所述冷卻板之間的距離為參數,基于由所述溫度傳感器測量出的溫度來對所述感應加熱裝置和所述冷卻裝置進行控制,所述溫度傳感器相對于所述感應加熱線圈被電磁屏蔽。
12.根據權利要求5所述的加熱冷卻設備,其特征在于,
所述控制裝置以向所述感應加熱裝置供給的通電電流及頻率、向所述冷卻裝置供給的制冷劑的入口溫度及流量、所述被處理構件與所述冷卻板之間的距離為參數,基于由所述溫度傳感器測量出的溫度來對所述感應加熱裝置和所述冷卻裝置進行控制,所述溫度傳感器相對于所述感應加熱線圈被電磁屏蔽。
13.根據權利要求1所述的加熱冷卻設備,其特征在于,具備:
真空排氣裝置,其與所述處理室連接;
還原氣體供給裝置,其向所述處理室內導入還原氣體;以及
非活性氣體供給裝置,其向所述處理室內導入非活性氣體,
其中,所述控制裝置對所述真空排氣裝置、所述還原氣體供給裝置以及所述非活性氣體供給裝置進行控制。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





