[發(fā)明專利]用于具有高像素數(shù)的顯示裝置的彩色無機LED顯示器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580053398.8 | 申請日: | 2015-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN107078148B | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 威廉姆·亨利;帕德里克·休斯;約瑟夫·奧基夫 | 申請(專利權(quán))人: | 臉譜科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;楊明釗 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 具有 素數(shù) 顯示裝置 彩色 無機 led 顯示器 | ||
1.一種在顯示裝置中使用的圖像生成器,所述圖像生成器包括:
多個ILED陣列芯片,每個ILED陣列芯片包括多個ILED發(fā)射器并且布置在陣列中使得所述圖像生成器的多個像素中的每一個包括來自多個相鄰ILED陣列芯片中的每一個的ILED發(fā)射器,
并且其中,ILED發(fā)射器材料的總面積小于每一個像素的區(qū)域的50%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像生成器,其中,ILED發(fā)射器材料的總面積在每一個像素的面積的從5%至10%的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像生成器,進一步包括二次光學(xué)器件,所述二次光學(xué)器件與ILED陣列芯片的多個所述ILED發(fā)射器的輸出光通信并且被配置為朝向相關(guān)聯(lián)的像素的發(fā)射區(qū)引導(dǎo)來自所述ILED發(fā)射器的光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像生成器,其中,所述二次光學(xué)器件包括以下中的一個或多個:反射結(jié)構(gòu)、光轉(zhuǎn)向光學(xué)器件、光提取特征、菲涅耳型結(jié)構(gòu)、印刷光學(xué)器件、蝕刻光學(xué)器件、全息光學(xué)器件、衍射光柵或其他類型的光學(xué)部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像生成器,其中,所述光提取特征被配置為減少或消除所述二次光學(xué)器件的內(nèi)反射,使得光從所述二次光學(xué)器件發(fā)射。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像生成器,其中,像素發(fā)射區(qū)的大小和/或形狀由所述光提取特征的大小和形狀確定。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-2以及4-6中任一項所述的圖像生成器,進一步包括在輸出處的漫射導(dǎo)光板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像生成器,其中,所述漫射導(dǎo)光板包括限定所述顯示裝置的每一個像素并被配置為防止像素間串?dāng)_的像素間區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像生成器,其中,所述像素間區(qū)包括間隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像生成器,其中,所述間隙至少部分地填充有介電材料和反射材料中的一個或多個。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-2、4-6以及8-10中任一項所述的圖像生成器,其中,每個ILED芯片具有單片結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像生成器,其中,每個ILED陣列芯片上的多個所述ILED發(fā)射器被配置為發(fā)射相同顏色的光。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的圖像生成器,其中,所述顏色是紅色、綠色以及藍(lán)色中的一個。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-2、4-6、8-10以及12-13中任一項所述的圖像生成器,其中,每個ILED陣列芯片上的多個所述ILED發(fā)射器配置在2×2矩陣中。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-2、4-6、8-10以及12-13中任一項所述的圖像生成器,其中,所述ILED陣列芯片的形狀為正方形、矩形、三角形、圓形以及多邊形中的一個。
16.根據(jù)權(quán)利要求1-2、4-6、8-10以及12-13中任一項所述的圖像生成器,其中,每個ILED陣列芯片上的多個所述ILED發(fā)射器中的每一個安裝在所述ILED陣列芯片的角部。
17.根據(jù)權(quán)利要求1-2、4-6、8-10以及12-13中任一項所述的圖像生成器,其中,所述ILED發(fā)射器安裝在透明的載體上使得發(fā)射的光透過所述載體傳播。
18.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像生成器,其中,所述二次光學(xué)器件直接與所述ILED陣列芯片集成。
19.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像生成器,其中,所述二次光學(xué)器件直接與導(dǎo)光板集成。
20.根據(jù)權(quán)利要求1-2、4-6、8-10以及12-13中任一項所述的圖像生成器,其中,所述ILED發(fā)射器包括微ILED發(fā)射器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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