[發(fā)明專利]一種特別用于熱接合微機電部件的裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580053334.8 | 申請日: | 2015-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN106716614A | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | V·蘭格洛夫;S·科瓦爾斯基;W·波爾特;R·科赫 | 申請(專利權(quán))人: | ATV科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司44205 | 代理人: | 趙東明 |
| 地址: | 德國法特*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 特別 用于 接合 微機 部件 裝置 | ||
1.一種特別用于在處理腔(8)中熱接合微機電部件(2、3)的裝置,所述裝置采用下部支撐板(11)接收所述待接合部件(2、3)的至少一個第一部件(2),并且在所述至少一個第一部件(2)的方向上采用壓緊裝置(15)將壓力施加在所述待接合部件(2、3)的至少一個第二部件(3)上,其特征在于,所述壓緊裝置(15)由可膨脹膜(19)形成,所述可膨脹膜(19)設(shè)置用于接觸所述至少一個第二部件(3),其中流體壓力,特別是氣壓,能夠在其背離所述待接合的部件(2、3)的一側(cè)施加到所述膜(19)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述膜(19)是由氣密性片材組成,特別是橡膠材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其特征在于,所述膜(19)的厚度及其可膨脹性優(yōu)選地根據(jù)所述待接合部件(2、3)的形貌來選擇,從而使得所述膜(19)在接觸操作條件下將至少近似相同的接觸壓力施加至所述部件(2、3)上,而不管他們之間存在的任何高度差。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的裝置,其特征在于,所述膜(19)在壓板(16)上延伸,其設(shè)置為至少大體平行于所述支撐板(11)并且至少與所述支撐板(11)垂直地可移動,其中可以在所述膜(19)和壓板(16)之間提供壓力介質(zhì)使得所述膜(19)朝向所述待接合的部件(2、3)膨脹。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的裝置,其特征在于,所述膜(19)通過所述保持和固定裝置(20)以安全且密封的方式,依附于所述壓板(16)的邊緣區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的裝置,其特征在于,所述保持和固定裝置(20)包括卡圈(21),尤其是,其圍繞所述膜(19)的周圍延伸并且允許所述膜(19)固定至所述壓板(16)和/或插入的密封裝置(22)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的裝置,其特征在于,能夠在所述膜(19)背離所述待接合的部件(2、3)的一側(cè)上,特別是在所述膜(19)的非接觸操作狀態(tài)下,將負(fù)壓施加到所述膜(19)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的裝置,其特征在于,在所述壓板(16)上方和/或所述支撐板(11)的下方設(shè)置加熱裝置(12、14)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的裝置,其特征在于,所述支撐板(11)設(shè)置為加熱板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項所述的裝置,其特征在于,所述處理腔設(shè)置為真空腔(8),所述真空腔(8)具有密封殼體(4)和至少一個所述殼體(4)的開口(9),所述開口設(shè)置為用于所述真空腔(8)的脫氣/抽空和充氣/氣化。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項所述的裝置,其特征在于,通過控制裝置(24)至少能夠根據(jù)所選的工藝,特別是TLPS(瞬時液相焊接)工藝或TLPB(瞬時液相鍵合)工藝或燒結(jié)工藝,以及根據(jù)所述待接合部件(2、3)的形貌調(diào)節(jié)所述壓緊裝置(15)的流體壓力。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





