[發(fā)明專利]用于在磁性設(shè)備中寫入的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580053109.4
• 申請日: 2015-10-02
• 公開（公告）號: CN107112046B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: Y.康瑙斯
• 申請（專利權(quán)）人: 克羅科斯科技公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進(jìn);劉春元

1.一種用于使用單個編程電流來對磁性設(shè)備進(jìn)行編程的方法，該磁性設(shè)備包括多個磁性邏輯部件單元；

每個都包括磁性隧道結(jié)，該磁性隧道結(jié)包括：具有存儲磁化的鐵磁性存儲層，該存儲磁化在低閾值溫度處被釘扣并且在高閾值溫度處可自由定向；具有感測磁化的鐵磁性感測層；以及在存儲層和感測層之間的隧道勢壘層；

編程線，其通過非導(dǎo)電層與所述多個磁性邏輯部件單元中的每一個物理地分離使得沒有電流能直接從編程線傳遞到磁性隧道結(jié)，并且被配置用于傳遞編程電流脈沖以用于對所述多個磁性邏輯部件單元的子集進(jìn)行編程，該子集包括多于一個磁性邏輯部件單元；

該方法包括：

在編程線中傳遞編程電流以用于將子集中的所述磁性邏輯部件單元的磁性隧道結(jié)加熱到處于高閾值溫度以便不釘扣子集中的磁性邏輯部件單元中的每一個的鐵磁性存儲磁化；

其中編程電流被進(jìn)一步適配用于生成編程磁場，其被適配用于在編程方向上切換子集中的每個磁性邏輯部件單元的存儲磁化；

其中所述傳遞編程電流包括：

在第一時間段期間傳遞第一脈沖部分，第一電流具有第一強(qiáng)度，該第一強(qiáng)度被適配用于感應(yīng)能夠切換存儲磁化的寫入磁場，并且將磁性隧道結(jié)加熱到處于高閾值溫度；以及

在第二時間段期間傳遞具有第二強(qiáng)度的第二脈沖部分，該第二強(qiáng)度比第一強(qiáng)度更低以便感應(yīng)能夠切換存儲磁化的寫入磁場并且將磁性隧道結(jié)冷卻到處于低閾值溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中第二脈沖部分的第二強(qiáng)度在第二時間段期間以單調(diào)方式下降。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中第二脈沖部分的第二強(qiáng)度以使得由第二脈沖部分感應(yīng)的編程磁場能夠切換存儲磁化的下降速率下降，直到磁性隧道結(jié)已達(dá)到低閾值溫度為止。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中使第二脈沖部分的第二強(qiáng)度逐步下降。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中第二脈沖部分的每個步長具有1ns和1h之間的持續(xù)時間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中第一脈沖部分具有比5μs更少的上升時間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中第一時間段是幾微秒到幾秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中第二強(qiáng)度的下降速率是1.7x10⁴ A/μm²/s。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中第一脈沖部分具有1x10^-3 A/μm2和10 A/μm2之間的量值。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該磁性設(shè)備還包括被配置用于傳遞額外場電流脈沖的至少一個額外場線；并且

其中該方法還包括：在所述至少一個額外場線中傳遞額外場電流脈沖以便感應(yīng)額外磁場，該額外磁場被適配用于當(dāng)磁性邏輯部件單元在高閾值溫度處時在編程方向上切換所述多個磁性邏輯部件單元中的任一個中的存儲磁化。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述至少一個額外場線包括至少兩個額外場線，并且其中在所述至少兩個額外場線中的每一個中傳遞額外場電流脈沖。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該額外場線被布置在磁性邏輯部件單元下面，并且其中在額外場線中的每一個中傳遞具有相同極性的額外場電流脈沖。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該額外場線被布置在磁性邏輯部件單元下面和上面，并且其中在布置在磁性邏輯部件單元下面的額外場線中傳遞的額外場電流脈沖具有與在布置在磁性邏輯部件單元上面的額外場線中傳遞的額外場電流脈沖的極性相反的極性。