[發明專利]超導線材用基板及其制造方法、以及超導線材

有效

• 申請號: 201580052715.4
• 申請日: 2015-10-23
• 公開（公告）號: CN106716559B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 黑川哲平;橋本裕介;岡山浩直;永石竜起;大木康太郎;本田元氣
• 申請（專利權）人: 東洋鋼鈑株式會社;住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01B12/06
• 分類號: H01B12/06;B32B15/01;B32B33/00;H01B5/02;H01B13/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 任梅;鄭霞

本發明的目的在于，提供一種用于制造具有優異的超導特性的超導線材的超導線材用基板及其制造方法。超導線材用基板中，最表層的金屬的晶體取向為c軸取向率99％以上，Δω為6°以下，且晶體方位自(001)[100]錯開6°以上的面積的比例為每單位面積6％以下。

技術領域

本發明涉及超導線材用基板及其制造方法。另外，涉及使用了超導線材用基板的超導線材。

背景技術

超導線材是通過在金屬基板上、或者在金屬基板上層疊有單層或多層由氧化鈰(CeO₂)、氧化釔穩定氧化鋯(YSZ)、氧化釔(Y2O₃)等氧化物層等構成的中間層的基材上，層疊超導層(RE123膜、RE：Y、Gd、Ho等)而制造。

作為用于獲得進行了晶體取向的超導層的技術，通過在哈斯特洛伊耐蝕鎳基合金(ハステロイ)等無取向金屬基板上成膜取向中間層而使晶體取向向超導層遷移的離子束輔助沉積成膜法(IBAD法)、通過使用雙軸晶體取向的金屬基板而使晶體取向向中間層、超導層遷移并成膜的方法(RABiTS法等)是公知的。考慮成膜速度等將來的生產效率時，后者的方法有利，但要想提高超導特性，需要使金屬基板高度地進行雙軸晶體取向。在此，金屬基板的晶體取向性例如通過基板的最表層的c軸取向率、Δω(面外取向性的指標)或Δφ(面內取向性的指標)的值來評價。

作為這種金屬基板(超導線材用基板)，公知的是在不銹鋼基板上層疊進行了晶體取向的銅，再在其上進一步層疊鎳的基板。例如，在專利文獻1中，公開了一種外延膜形成用取向基板，在被取向化的由銅構成的取向化金屬層中包覆作為加強材料的金屬基材而成，其特征在于，上述取向化金屬層為具有取向度Δφ、Δω均為5～9°的取向性的金屬，在上述取向化金屬層的表面上具備由鍍鎳膜構成且厚度為100～5000nm的取向性改善層，所述取向化金屬層表面上的取向度(Δφ及Δω)和上述取向性改善層表面上的取向度(Δφ及Δω)之差均為0.1～3.0°。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012－229493號公報

發明內容

發明所要解決的課題

如上所述，現有超導線材用基板被制造成使進行了雙軸晶體取向的金屬基板的最表層的c軸取向率、Δω和Δφ的值設定為特定的值，c軸取向率越高、且Δω越小、Δφ越小、則得到超導特性越好的超導線材是公知的。

但是，現有超導線材中，即使是使用最表層的金屬的晶體取向具有充分的c軸取向率、Δω及Δφ的金屬基板的情況，使用該基板所得到的超導線材的超導特性也存在偏差。

因此，本發明的目的在于，提供用于制造具有優異的超導特性的超導線材的超導線材用基板及其制造方法。

用于解決課題的技術方案

本發明人等為了解決上述課題進行了深入研究，結果發現，可以獲得超導線材用基板的最表層的金屬的晶體取向具有特定的c軸取向率及Δω，且通過將最表層的晶體方位自(001)[100]錯開特定的角度以上的面積的比例控制在規定范圍內而提高了超導特性的超導線材，完成了發明。即，本發明的宗旨如下。

(1)一種超導線材用基板，最表層的金屬的晶體取向為c軸取向率99％以上，Δω為6°以下，且晶體方位自(001)[100]錯開6°以上的面積的比例為每單位面積6％以下。

(2)根據(1)所述的超導線材用基板，其中，最表層的金屬的晶體取向為，Δφ為6°以下。

(3)根據(1)或(2)所述的超導線材用基板，其中，最表層的金屬的晶體取向為，Δω及Δφ低于5°。

(4)根據(1)～(3)中任一項所述的超導線材用基板，其中，最表層由銅、鎳或它們的合金構成。