[發明專利]成像裝置、制造裝置和制造方法

有效

• 申請號: 201580052657.5
• 申請日: 2015-09-25
• 公開（公告）號: CN107078143B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 定榮正大;萬田周治
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/10
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

1.一種成像裝置，包括：

有機光電轉換膜；

上電極，設置在所述有機光電轉換膜的上部部分中；以及

下電極，設置在所述有機光電轉換膜的下部部分中；

其中，所述上電極包括堆疊的氧化物半導體、金屬氧化物和金屬薄膜，所述金屬薄膜位于所述氧化物半導體和所述金屬氧化物的下側，并且

其中，所述金屬氧化物是所述金屬薄膜的氧化部分。

2.根據權利要求1所述的成像裝置，其中：

所述上電極由所述氧化物半導體、所述金屬氧化物和所述金屬薄膜形成。

3.根據權利要求2所述的成像裝置，其中：

所述金屬氧化物是氧化鋁(AlO)，并且所述金屬薄膜由鋁(Al)形成。

4.根據權利要求1所述的成像裝置，其中：

所述金屬薄膜是由以下各者中的任一者形成：鋁(Al)、銦(In)、銀(Ag)、金(Au)、鋅(Zn)、鋰(Li)、錫(Sn)、銻(Sb)、鎂(Mg)、鎘(Cd)、鈣(Ca)、鉀(K)、銣(Rb)、銫(Cs)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈰(Ce)、釔(Y)、鉿(Hf)、鎳(Ni)、鎵(Ga)和鈦(Ti)。

5.根據權利要求1所述的成像裝置，其中：

所述上電極和所述下電極中的每一個是由以下各者中的任一者形成：ITO、基于氧化錫的SnO2、基于氧化鋅的材料，即，氧化鋁鋅、氧化鎵鋅和氧化銦鋅、IGZO、CuI、InSbO4、ZnMgO、CuInO2、MgIn2O4、CdO和ZnSnO3。

6.根據權利要求1所述的成像裝置，其中：

所述有機光電轉換膜是由以下各者中的任一者形成：喹吖啶酮衍生物、萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、苝衍生物和熒蒽衍生物。

7.根據權利要求1所述的成像裝置，其中：

所述有機光電轉換膜是由以下各者中的任一者形成：苯乙炔、芴、咔唑、吲哚、芘、吡咯、甲基吡啶、噻吩、乙炔或聯乙炔的聚合物及其衍生物、金屬絡合物染料、菁染料、部菁染料、苯基呫噸染料、三苯甲烷染料、若丹菁染料、呫噸染料、大環氮雜輪烯染料、薁染料、萘醌、蒽醌染料、稠合多環芳族化合物、通過將芳環或雜環化合物稠合而獲得的鏈狀化合物、含有兩個氮原子并具有方酸基和克酮次甲基作為成鍵鏈的雜環化合物以及由方酸基和克酮次甲基成鍵的菁類染料，并且

所述金屬絡合物染料是二硫醇金屬絡合物染料、金屬酞菁染料、金屬卟啉染料和釕絡合物染料中的任一者。

8.根據權利要求7所述的成像裝置，其中：

所述稠合多環芳族化合物是蒽或芘。

9.根據權利要求7所述的成像裝置，其中：

所述雜環化合物是喹啉、苯并噻唑或苯并惡唑。

10.根據權利要求1所述的成像裝置，其中：

所述金屬薄膜具有5nm或更小的厚度。

11.根據權利要求1所述的成像裝置，其中所述金屬薄膜形成為預定形狀，并且按相等間隔或任意地分散。

12.根據權利要求11所述的成像裝置，其中所述預定形狀是球形。

13.根據權利要求1所述的成像裝置，還包括設置在所述金屬薄膜與所述有機光電轉換膜之間的空穴阻擋層。

14.根據權利要求1所述的成像裝置，還包括與所述金屬薄膜一起或替代所述金屬薄膜的焓控制層。

15.根據權利要求14所述的成像裝置，其中：

所述焓控制層設置在所述有機光電轉換膜與所述下電極之間。