[發(fā)明專利]信號(hào)傳送絕緣設(shè)備以及功率半導(dǎo)體模塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580052629.3 | 申請(qǐng)日: | 2015-08-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106716622B | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 菅健一;釣本崇夫;鹽田裕基;諸熊健一;折田昭一;為谷典孝;井上貴公;魚田紫織 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/822 | 分類號(hào): | H01L21/822;H01F17/00;H01F19/00;H01F27/32;H01L27/04 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 于麗 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 信號(hào) 傳送 絕緣 設(shè)備 以及 功率 半導(dǎo)體 模塊 | ||
1.一種信號(hào)傳送絕緣設(shè)備,其特征在于,具備:
第1線圈;
第2線圈,與所述第1線圈對(duì)置,與所述第1線圈一起構(gòu)成變壓器;
第1絕緣膜,設(shè)置于對(duì)置的所述第1線圈和所述第2線圈之間,由第1電介質(zhì)構(gòu)成;
第2絕緣膜,包括第1膜和第2膜,該第2絕緣膜由電阻率比所述第1電介質(zhì)低的第2電介質(zhì)構(gòu)成,所述第1膜設(shè)置于與第二主面相接的面與所述第1絕緣膜之間,且填充并覆蓋所述第1線圈,所述第二主面是所述第1線圈的與和所述第2線圈對(duì)置的第一主面相反的一側(cè)的面,所述第2膜在與所述第二主面相接的面與所述第1膜鄰接地設(shè)置;以及
第3絕緣膜,包括第3膜和第4膜,該第3絕緣膜由電阻率比所述第1電介質(zhì)低的第3電介質(zhì)構(gòu)成,所述第3膜設(shè)置于與第三主面相接的面與所述第1絕緣膜之間,所述第三主面是所述第2線圈的與所述第1線圈對(duì)置的面,所述第4膜在與所述第三主面相接的面與所述第3膜鄰接,且填充并覆蓋所述第2線圈。
2.一種信號(hào)傳送絕緣設(shè)備,其特征在于,具備:
第1線圈;
第2線圈,與所述第1線圈對(duì)置,與所述第1線圈一起構(gòu)成變壓器;
第1絕緣膜,設(shè)置于對(duì)置的所述第1線圈和所述第2線圈之間,由第1電介質(zhì)構(gòu)成;
第2絕緣膜,包括第1膜和第2膜,該第2絕緣膜由介電常數(shù)比所述第1電介質(zhì)高的第2電介質(zhì)構(gòu)成,所述第1膜設(shè)置于與第二主面相接的面與所述第1絕緣膜之間,且填充并覆蓋所述第1線圈,所述第二主面是所述第1線圈的與和所述第2線圈對(duì)置的第一主面相反的一側(cè)的面,所述第2膜在與所述第二主面相接的面與所述第1膜鄰接地設(shè)置;以及
第3絕緣膜,包括第3膜和第4膜,該第3絕緣膜由介電常數(shù)比所述第1電介質(zhì)高的第3電介質(zhì)構(gòu)成,所述第3膜設(shè)置于與第三主面相接的面與所述第1絕緣膜之間,所述第三主面是所述第2線圈的與所述第1線圈對(duì)置的面,所述第4膜在與所述第三主面相接的面與所述第3膜鄰接,且填充并覆蓋所述第2線圈。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的信號(hào)傳送絕緣設(shè)備,其特征在于,
使與所述第1絕緣膜鄰接的所述第1膜的所述第1絕緣膜側(cè)的面平坦地形成,并且使所述第4膜的和與所述第3膜相接的面相反的一側(cè)的面平坦地形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的信號(hào)傳送絕緣設(shè)備,其特征在于,
設(shè)置于與所述第1線圈的與和所述第2線圈對(duì)置的第一主面相反的一側(cè)的第二主面相接的部分的所述第2膜被省略。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號(hào)傳送絕緣設(shè)備,其特征在于,
設(shè)置于與所述第1線圈的與和所述第2線圈對(duì)置的第一主面相反的一側(cè)的第二主面相接的部分的所述第2膜被省略。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的信號(hào)傳送絕緣設(shè)備,其特征在于,具備:
產(chǎn)生有壓縮應(yīng)力的所述第1絕緣膜;和
產(chǎn)生有拉伸應(yīng)力的所述第2絕緣膜以及所述第3絕緣膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號(hào)傳送絕緣設(shè)備,其特征在于,具備:
產(chǎn)生有壓縮應(yīng)力的所述第1絕緣膜;和
產(chǎn)生有拉伸應(yīng)力的所述第2絕緣膜以及所述第3絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的信號(hào)傳送絕緣設(shè)備,其特征在于,具備:
產(chǎn)生有壓縮應(yīng)力的所述第1絕緣膜;和
產(chǎn)生有拉伸應(yīng)力的所述第2絕緣膜以及所述第3絕緣膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信號(hào)傳送絕緣設(shè)備,其特征在于,具備:
產(chǎn)生有壓縮應(yīng)力的所述第1絕緣膜;和
產(chǎn)生有拉伸應(yīng)力的所述第2絕緣膜以及所述第3絕緣膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的信號(hào)傳送絕緣設(shè)備,其特征在于,具備:
產(chǎn)生有拉伸應(yīng)力的所述第1絕緣膜;和
產(chǎn)生有壓縮應(yīng)力的所述第2絕緣膜以及所述第3絕緣膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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