[發明專利]信號傳送絕緣設備以及功率半導體模塊

有效

• 申請號: 201580052629.3
• 申請日: 2015-08-19
• 公開（公告）號: CN106716622B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 菅健一;釣本崇夫;鹽田裕基;諸熊健一;折田昭一;為谷典孝;井上貴公;魚田紫織
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01F17/00;H01F19/00;H01F27/32;H01L27/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 于麗

1.一種信號傳送絕緣設備，其特征在于，具備：

第1線圈；

第2線圈，與所述第1線圈對置，與所述第1線圈一起構成變壓器；

第1絕緣膜，設置于對置的所述第1線圈和所述第2線圈之間，由第1電介質構成；

第2絕緣膜，包括第1膜和第2膜，該第2絕緣膜由電阻率比所述第1電介質低的第2電介質構成，所述第1膜設置于與第二主面相接的面與所述第1絕緣膜之間，且填充并覆蓋所述第1線圈，所述第二主面是所述第1線圈的與和所述第2線圈對置的第一主面相反的一側的面，所述第2膜在與所述第二主面相接的面與所述第1膜鄰接地設置；以及

第3絕緣膜，包括第3膜和第4膜，該第3絕緣膜由電阻率比所述第1電介質低的第3電介質構成，所述第3膜設置于與第三主面相接的面與所述第1絕緣膜之間，所述第三主面是所述第2線圈的與所述第1線圈對置的面，所述第4膜在與所述第三主面相接的面與所述第3膜鄰接，且填充并覆蓋所述第2線圈。

2.一種信號傳送絕緣設備，其特征在于，具備：

第1線圈；

第2線圈，與所述第1線圈對置，與所述第1線圈一起構成變壓器；

第1絕緣膜，設置于對置的所述第1線圈和所述第2線圈之間，由第1電介質構成；

第2絕緣膜，包括第1膜和第2膜，該第2絕緣膜由介電常數比所述第1電介質高的第2電介質構成，所述第1膜設置于與第二主面相接的面與所述第1絕緣膜之間，且填充并覆蓋所述第1線圈，所述第二主面是所述第1線圈的與和所述第2線圈對置的第一主面相反的一側的面，所述第2膜在與所述第二主面相接的面與所述第1膜鄰接地設置；以及

第3絕緣膜，包括第3膜和第4膜，該第3絕緣膜由介電常數比所述第1電介質高的第3電介質構成，所述第3膜設置于與第三主面相接的面與所述第1絕緣膜之間，所述第三主面是所述第2線圈的與所述第1線圈對置的面，所述第4膜在與所述第三主面相接的面與所述第3膜鄰接，且填充并覆蓋所述第2線圈。

3.根據權利要求1或2所述的信號傳送絕緣設備，其特征在于，

使與所述第1絕緣膜鄰接的所述第1膜的所述第1絕緣膜側的面平坦地形成，并且使所述第4膜的和與所述第3膜相接的面相反的一側的面平坦地形成。

4.根據權利要求1或2所述的信號傳送絕緣設備，其特征在于，

設置于與所述第1線圈的與和所述第2線圈對置的第一主面相反的一側的第二主面相接的部分的所述第2膜被省略。

5.根據權利要求3所述的信號傳送絕緣設備，其特征在于，

設置于與所述第1線圈的與和所述第2線圈對置的第一主面相反的一側的第二主面相接的部分的所述第2膜被省略。

6.根據權利要求1或2所述的信號傳送絕緣設備，其特征在于，具備：

產生有壓縮應力的所述第1絕緣膜；和

產生有拉伸應力的所述第2絕緣膜以及所述第3絕緣膜。

7.根據權利要求3所述的信號傳送絕緣設備，其特征在于，具備：

產生有壓縮應力的所述第1絕緣膜；和

產生有拉伸應力的所述第2絕緣膜以及所述第3絕緣膜。

8.根據權利要求4所述的信號傳送絕緣設備，其特征在于，具備：

產生有壓縮應力的所述第1絕緣膜；和

產生有拉伸應力的所述第2絕緣膜以及所述第3絕緣膜。

9.根據權利要求5所述的信號傳送絕緣設備，其特征在于，具備：

產生有壓縮應力的所述第1絕緣膜；和

產生有拉伸應力的所述第2絕緣膜以及所述第3絕緣膜。

10.根據權利要求1或2所述的信號傳送絕緣設備，其特征在于，具備：

產生有拉伸應力的所述第1絕緣膜；和

產生有壓縮應力的所述第2絕緣膜以及所述第3絕緣膜。