[發明專利]具有分布式替換字線的存儲器

有效

• 申請號: 201580052543.0
• 申請日: 2015-09-17
• 公開（公告）號: CN107077889B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 北川真;Y·盧瑟拉
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;G11C29/00
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 鄭宗玉

1.一種存儲器，包括：

多個存儲器單元；

多條位線，連接到所述多個存儲器單元；

多條字線，連接到所述多個存儲器單元；

多條替換字線，散布在所述多條字線之間；以及

字線控制電路，被配置為基于所述多條字線中的各條字線的位置向各條字線施加不同的電壓，所述字線控制電路被配置為在對所述多個存儲器單元中的存儲器單元執行的操作期間，向各條字線施加不同的電壓，存儲器單元連接到各條字線，其中字線控制電路被配置為用所述多條替換字線中的替換字線來替換所述多條字線中的有缺陷字線，以及

其中字線控制電路被配置為在操作期間，基于替換字線的位置替換有缺陷字線而不補償施加到替換字線的電壓。

2.如權利要求1所述的存儲器，其中字線控制電路被配置為在操作期間向替換字線施加的電壓與字線控制電路被配置為在操作期間向有缺陷字線施加的電壓相同。

3.如權利要求1所述的存儲器，其中操作是向所述多個存儲器單元中的存儲器單元寫入數據的操作。

4.如權利要求3所述的存儲器，其中寫入數據的操作包括在第一方向上向存儲器單元施加電流的置位操作或者在第二方向上向存儲器單元施加電流的復位操作。

5.如權利要求1所述的存儲器，其中

所述多條字線包括第一組字線、第二組字線和第三組字線，

所述多條替換字線包括在第一組字線和第二組字線之間的至少一條第一替換字線，以及在第二組字線和第三組字線之間的至少一條第二替換字線，

字線控制電路被配置為用所述至少一條第一替換字線中的第一替換字線替換第一組或第二組中的有缺陷字線，以及

字線控制電路被配置為用所述至少一條第二替換字線中的第二替換字線替換第二組或第三組中的有缺陷字線。

6.如權利要求5所述的存儲器，其中所述至少一條第一替換字線包括至少兩條替換字線。

7.如權利要求1所述的存儲器，其中所述多個存儲器單元中的單個存儲器單元包括晶體管和存儲器元件。

8.如權利要求7所述的存儲器，其中字線控制電路被配置為通過改變存儲器元件的電阻向存儲器元件施加電流，以存儲比特值。

9.如權利要求7所述的存儲器，其中晶體管具有連接到所述多條字線中的字線的控制端子，并且晶體管具有連接到所述多條位線中的位線的第二端子。

10.如權利要求9所述的存儲器，其中晶體管具有連接到存儲器元件的第三端子，并且存儲器元件還連接到公共電壓節點。

11.如權利要求1所述的存儲器，其中存儲器是非易失性存儲器。

12.如權利要求1所述的存儲器，其中存儲器包括電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)、導電橋隨機存取存儲器(CBRAM)、相變存儲器(PCM)、磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)、自旋RAM或閃存中的至少一種。

13.如權利要求1所述的存儲器，其中所述多條替換字線中的替換字線散布在整個存儲器中的所述多條字線之間。

14.一種操作存儲器的方法，所述存儲器包括多個存儲器單元、連接到所述多個存儲器單元的多條位線、連接到所述多個存儲器單元的多條字線、散布在所述多條字線之間的多條替換字線以及字線控制電路，所述方法包括：

在對所述多個存儲器單元中的存儲器單元執行的操作期間，通過字線控制電路，基于所述多條字線中的各條字線的位置向各條字線施加不同的電壓，存儲器單元連接到各條字線；以及

用所述多條替換字線中的替換字線來替換所述多條字線中的有缺陷字線，其中在操作期間，基于替換字線的位置替換有缺陷字線而不補償施加到替換字線的電壓。