[發明專利]無線供電裝置

有效

• 申請號: 201580052445.7
• 申請日: 2015-08-28
• 公開（公告）號: CN106716779B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 細谷達也
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H02J50/12
• 分類號: H02J50/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 薛凱

開關控制電路(10)以多諧振電路的阻抗成為電感性的開關頻率使開關元件(Q1、Q2)夾著死區時間交替接通/斷開。在開關元件(Q1、Q2)的電流電壓特性的第3象限中的動作中，對開關元件(Q1、Q2)的控制端子給予控制信號來使開關元件，若將開關電路(S1、S2)的兩端電壓發生變化的換流期間用tc表征，將成為第3象限中的動作的期間用ta表征，將死區時間用td表征，則滿足tc≤td＜(tc+ta)地確定死區時間。

技術領域

本發明涉及無線供電裝置，其經由具備送電線圈和受電線圈的電磁場耦合電路，利用電磁場共振現象以無線方式提供電力。

背景技術

在專利文獻1示出利用電磁場共振現象的開關電源裝置。專利文獻1的開關電源裝置具備開關控制電路，其使開關元件夾著死區時間交替接通/斷開來使交流電壓產生。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：JP專利第5321758號公報

發明內容

發明要解決的課題

近年來，隨著電子設備的小型輕量化，開關電源電路的高效率化的市場需求愈發提高。一般，為了實現開關電源電路的高效率化，開關控制的高精度化是重要的。但在使用動作頻率成為MHz頻帶那樣稱作高頻電力電子的技術領域中的開關控制技術的情況下，或者在使用新的電力用半導體、具體為化合物(GaN：氮化鎵、GaAs：砷化鎵、SiC：碳化硅)半導體、特殊的電力用半導體元件等的情況下，關于用于得到高的電力變換效率的高度的開關控制技術，幾乎沒有披露。例如在無線供電裝置中使用電力用GaN半導體的情況下，要如何調整死區時間才能減低開關元件中的導通損耗或開關損耗從而抑制開關元件的發熱、提高裝置中的電力變換效率，關于這樣的技術，到目前為止幾乎并不清楚。特別在將化合物半導體用作開關元件的情況下，怎樣活用不同于一般的硅(Si：硅)半導體的電流/電壓特性才能得到高的電力變換效率，關于這樣的技術，幾乎并不清楚。關于從送電裝置向受電裝置超越空間提供電力的無線供電技術，高效率化、小型輕量化的需求高，開發用于得到高的電力變換效率的開關元件的控制技術，成為有助于科學技術的發展的重要的技術。

本發明的目的在于，提供積極活用電力用半導體元件所具有的固有的電氣上的電流/電壓特性來更加提高電力變換效率的無線供電裝置。

用于解決課題的手段

本發明的無線供電裝置如下那樣構成。