[發(fā)明專(zhuān)利]固態(tài)光電倍增管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580052301.1 | 申請(qǐng)日： | 2015-09-16 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107003419B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | J·郭;S·I·多林斯基;D·L·麥克丹尼爾;J·D·肖爾特 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G01T1/24 | 分類(lèi)號(hào)： | G01T1/24;H04N5/32 |
| 代理公司： | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 鄭浩;付曼 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 固態(tài) 光電倍增管 | ||
1.一種用于光電傳感器的微單元，包含：
感測(cè)元件；以及
讀出電子設(shè)備，所述感測(cè)元件與所述讀出電子設(shè)備AC通過(guò)電容器耦合，其中，所述電容器由至少一個(gè)低壓阱和至少一個(gè)高壓阱形成，其中，所述至少一個(gè)低壓阱和所述至少一個(gè)高壓阱形成于襯底內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的微單元，進(jìn)一步包含：
多個(gè)光電二極管；
多個(gè)淬滅電阻器，每個(gè)具有分別與所述多個(gè)光電二極管耦合的第一端，并且，每個(gè)具有相互電耦合且經(jīng)由所述電容器而與所述讀出電子設(shè)備電耦合的第二端。
3.如權(quán)利要求1所述的微單元，其中，所述低壓阱設(shè)置于所述高壓阱內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的微單元，其中，至少一部分的所述低壓阱圍繞所述高壓阱的周邊設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的微單元，其中，所述電容器由設(shè)置于所述至少一個(gè)高壓阱與所述至少一個(gè)低壓阱之間的隔離阱形成。
6.如權(quán)利要求5所述的微單元，其中，所述隔離阱包含設(shè)置于所述隔離阱內(nèi)的嵌套式阱，其中，所述隔離阱包含p型摻雜劑或n型摻雜劑中的一個(gè)，并且，其中，所述嵌套式阱包含與所述隔離阱的摻雜劑相反的p型摻雜劑或n型摻雜劑中的一個(gè)。
7.如權(quán)利要求1所述的微單元，其中，所述感測(cè)元件包含在高于擊穿電壓的蓋革模式中操作的雪崩光電二極管。
8.如權(quán)利要求1所述的微單元，其中，所述感測(cè)元件包含淬滅電阻器和阻抗電路系統(tǒng)中的至少一個(gè)。
9.如權(quán)利要求8所述的微單元，其中，所述阻抗電路系統(tǒng)包含無(wú)源元件和有源元件中的至少一個(gè)。
10.一種固態(tài)光電倍增管，包含：
微單元，具有；
感測(cè)元件；以及
讀出電子設(shè)備，其中，所述感測(cè)元件與所述讀出電子設(shè)備AC通過(guò)電容器耦合，其中，所述電容器由至少一個(gè)低壓阱和至少一個(gè)高壓阱形成，其中，所述至少一個(gè)低壓阱和所述至少一個(gè)高壓阱形成于襯底內(nèi)。
11.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)光電倍增管，其中，所述微單元進(jìn)一步包含：
多個(gè)光電二極管；
多個(gè)淬滅電阻器，每個(gè)具有分別與所述多個(gè)光電二極管耦合的第一端，并且，每個(gè)具有相互電耦合且經(jīng)由所述電容器而與所述讀出電子設(shè)備電耦合的第二端。
12.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)光電倍增管，其中，所述低壓阱設(shè)置于所述高壓阱內(nèi)。
13.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)光電倍增管，其中，至少一部分的所述低壓阱圍繞所述高壓阱的周邊設(shè)置。
14.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)光電倍增管，其中，所述電容器由設(shè)置于所述至少一個(gè)高壓阱與所述至少一個(gè)低壓阱之間的隔離阱形成。
15.如權(quán)利要求14所述的固態(tài)光電倍增管，其中，所述隔離阱包含設(shè)置于所述隔離阱內(nèi)的嵌套式阱，其中，所述隔離阱包含p型摻雜劑或n型摻雜劑中的一個(gè)，并且，其中，所述嵌套式阱包含與所述隔離阱的摻雜劑相反的p型摻雜劑或n型摻雜劑中的一個(gè)。
16.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)光電倍增管，其中，所述光電二極管包含在高于擊穿電壓的蓋革模式中操作的雪崩光電二極管。
17.如權(quán)利要求10所述的固態(tài)光電倍增管，其中，所述感測(cè)元件包含淬滅電阻器和阻抗電路系統(tǒng)中的至少一個(gè)。
18.如權(quán)利要求17所述的固態(tài)光電倍增管，其中，所述阻抗電路系統(tǒng)包含無(wú)源元件和有源元件中的至少一個(gè)。
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