[發(fā)明專利]用于加工期間的晶片控制的表面輪廓測定的設(shè)備和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580052115.8
• 申請日: 2015-09-18
• 公開（公告）號: CN106796099B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉萊斯·弗萊斯闊特
• 申請（專利權(quán)）人: 統(tǒng)一半導體公司
• 主分類號: G01B9/02
• 分類號: G01B9/02;G01B11/24;G01N21/95;H01L21/66
• 代理公司: 北京柏杉松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413
• 代理人: 謝攀;劉繼富

1.一種用于相對于存在于晶片(12)的第一表面(13)下方的結(jié)構(gòu)(14)對所述第一表面(13)進行形狀測量的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：

-具有全場干涉儀(20)的輪廓測定裝置(10)，其被布置為根據(jù)至少一個測量區(qū)域?qū)λ鼍?12)的所述第一表面(13)進行形狀測量；

-成像裝置(11)，其面對所述輪廓測定裝置(10)，并且被布置為根據(jù)至少一個成像區(qū)域在所述晶片(12)的與所述第一表面(13)相對的第二表面上或通過所述第二表面獲取所述結(jié)構(gòu)(14)的參考圖像；

所述輪廓測定裝置(10)和所述成像裝置(11)被布置成使得所述測量區(qū)域和所述成像區(qū)域在公共參考系(15)內(nèi)參照就位。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括能夠在紅外波長下生成圖像的成像裝置(11)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，包括以下類型之一的全場干涉儀(20)：Michelson、Mirau、Linnik、Fizeau。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述輪廓測定裝置(10)和成像裝置(11)具有基本平行的光軸(21、27)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括用于將晶片(12)定位為第一表面(13)面對所述輪廓測定裝置(10)而第二表面面對成像裝置(11)的支撐件。

6.一種用于相對于存在于晶片(12)的第一表面(13)下方的結(jié)構(gòu)(14)對所述第一表面(13)進行形狀測量的方法，其特征在于包括以下步驟：

-通過實施具有全場干涉儀(20)的輪廓測定裝置(10)，根據(jù)至少一個測量區(qū)域來獲取對所述晶片(12)的所述第一表面(13)的形狀測量；

-通過實施面對所述輪廓測定裝置(10)的成像裝置(11)，根據(jù)至少一個成像區(qū)域在所述晶片(12)的與所述第一表面(13)相對的第二表面上或通過所述第二表面獲取所述結(jié)構(gòu)(14)的參考圖像；

所述測量區(qū)域和所述成像區(qū)域在公共參考系(15)內(nèi)參照就位。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在所述參考圖像中識別所述結(jié)構(gòu)(14)的位置的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，包括在至少一個所識別的結(jié)構(gòu)位置附近獲取形狀測量的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項所述的方法，還包括在參考平面形式的公共參考系(15)內(nèi)對所述測量區(qū)域和所述成像區(qū)域的位置的定位進行校準的在先步驟。