[發明專利]多晶硅芯片回收組件和從多晶硅清洗裝置中回收多晶硅芯片的方法有效
| 申請號: | 201580051962.2 | 申請日: | 2015-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN107078077B | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發明(設計)人: | 詹森·L·賈爾迪納;詹姆斯·C·蒙代爾;納撒尼爾·C·麥肯錫-赫梅萊夫斯基 | 申請(專利權)人: | 赫姆洛克半導體運營有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 武娟;鄭霞 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多晶 芯片 回收 組件 清洗 裝置 方法 | ||
1.一種多晶硅芯片回收組件,包括:
多晶硅清洗裝置,所述多晶硅清洗裝置被配置成清洗多個多晶硅主體;
多個多晶硅芯片,所述多個多晶硅芯片在所述多個多晶硅主體的清洗期間從所述多個多晶硅主體中生成,其中,所述多個多晶硅芯片中的每一個具有從0.1mm到25.0mm的最長尺寸長度;
多晶硅裝置排放管道,其被定位成貼近所述多晶硅清洗裝置的底部,所述多晶硅裝置排放管道被配置成將所述多個多晶硅芯片從所述多晶硅清洗裝置發送到主芯片排放管道,其中,所述主芯片排放管道定向為以向下坡度遠離所述多晶硅裝置排放管道;以及
流體源,所述流體源流體地耦合至所述主芯片排放管道,并被配置成將流體注入所述主芯片排放管道中,以將所述多個多晶硅芯片驅動通過所述主芯片排放管道。
2.根據權利要求1所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述流體包括去離子水。
3.根據權利要求1所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述主芯片排放管道的向下坡度為從0.5英寸/英尺到1.5英寸/英尺。
4.根據權利要求2所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述主芯片排放管道的向下坡度為從0.5英寸/英尺到1.5英寸/英尺。
5.根據權利要求1-4中的任一項所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述主芯片排放管道包括塑料管。
6.根據權利要求5所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述塑料管包括從3英寸到8英寸的直徑。
7.根據權利要求1-4和6中的任一項所述的多晶硅芯片回收組件,還包括芯片收集艙,其中,所述主芯片排放管道包括鄰近所述芯片收集艙的出口,所述出口被配置成將所述多個多晶硅芯片引導到所述芯片收集艙中。
8.根據權利要求5所述的多晶硅芯片回收組件,還包括芯片收集艙,其中,所述主芯片排放管道包括鄰近所述芯片收集艙的出口,所述出口被配置成將所述多個多晶硅芯片引導到所述芯片收集艙中。
9.根據權利要求7所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述芯片收集艙包括沖洗系統,所述沖洗系統被配置成分配沖洗流體以接觸所述多個多晶硅芯片,以中和所述多個多晶硅芯片的pH值。
10.根據權利要求8所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述芯片收集艙包括沖洗系統,所述沖洗系統被配置成分配沖洗流體以接觸所述多個多晶硅芯片,以中和所述多個多晶硅芯片的pH值。
11.根據權利要求9或10所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述芯片收集艙包括被配置成將所述沖洗流體發送離開所述芯片收集艙的排空管道。
12.根據權利要求8-10中的任一項所述的多晶硅芯片回收組件,還包括在所述芯片收集艙的出口和輸送機之間延伸的芯片路徑選擇管道。
13.根據權利要求7所述的多晶硅芯片回收組件,還包括在所述芯片收集艙的出口和輸送機之間延伸的芯片路徑選擇管道。
14.根據權利要求11所述的多晶硅芯片回收組件,還包括在所述芯片收集艙的出口和輸送機之間延伸的芯片路徑選擇管道。
15.根據權利要求12所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述輸送機包括振動輸送機。
16.根據權利要求13或14所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述輸送機包括振動輸送機。
17.根據權利要求13-15中任一項所述的多晶硅芯片回收組件,其中,所述輸送機以從5度到10度的角度的向上坡度成角度地定向,并包括被配置成去除高達95%的所分配的流體的脫水系統。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





