[發(fā)明專利]層疊膜和撓性電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580051842.2 | 申請日: | 2015-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN106715116A | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李冠;山下恭弘;野殿光紀(jì) | 申請(專利權(quán))人: | 住友化學(xué)株式會(huì)社 |
| 主分類號: | B32B9/00 | 分類號: | B32B9/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人: | 趙雁,金世煜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 層疊 電子設(shè)備 | ||
1.一種層疊膜,其具有撓性基材、與所述基材的至少單面相接而設(shè)置的有機(jī)層和在所述有機(jī)層上相接而設(shè)置的薄膜層,
所述有機(jī)層含有丙烯酸酯樹脂,
所述薄膜層含有硅原子、氧原子和碳原子,
在分別表示所述薄膜層的膜厚方向的距所述薄膜層的表面的距離,與相對于位于所述距離的點(diǎn)的所述薄膜層中含有的硅原子、氧原子和碳原子的總數(shù)的硅原子數(shù)的比率即硅的原子數(shù)比、氧原子數(shù)的比率即氧的原子數(shù)比、碳原子數(shù)的比率即碳的原子數(shù)比的關(guān)系的硅分布曲線、氧分布曲線和碳分布曲線中,全部滿足下述條件(i)~(iii):
(i)硅的原子數(shù)比、氧的原子數(shù)比和碳的原子數(shù)比在所述薄膜層的膜厚方向的90%以上的區(qū)域中滿足下述式(I),
氧的原子數(shù)比>硅的原子數(shù)比>碳的原子數(shù)比(I)
(ii)所述碳分布曲線具有至少一個(gè)極值,
(iii)所述碳分布曲線中的碳的原子數(shù)比的最大值與最小值之差的絕對值為0.05以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊膜,其中,所述有機(jī)層可以含有填料成分,從所述有機(jī)層的總重量中除去所述有機(jī)層中含有的填料成分而得到重量W0,將所述丙烯酸酯樹脂成分的重量W1相對于重量W0以重量比W1/W0表示的情況下,重量比W1/W0在下述式(2)的范圍,
0.60≤W1/W0≤1.00(2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊膜,其中,從所述有機(jī)層的總重量中除去所述有機(jī)層中含有的填料成分而得到重量W0,將有機(jī)硅化合物成分的重量W2相對于重量W0以重量比W2/W0表示的情況下,重量比W2/W0在下述式(3)的范圍,
W2/W0≤0.10(3)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的層疊膜,其中,對所述薄膜層表面進(jìn)行紅外光譜測定的情況下,存在于950~1050cm-1的峰值強(qiáng)度(I1)與存在于1240~1290cm-1的峰值強(qiáng)度(I2)的強(qiáng)度比在下述式(4)的范圍,
0.01≤I2/I1<0.05(4)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的層疊膜,其中,對所述薄膜層表面進(jìn)行紅外光譜測定的情況下,存在于950~1050cm-1的峰值強(qiáng)度(I1)與存在于770~830cm-1的峰值強(qiáng)度(I3)的強(qiáng)度比在下述式(5)的范圍,
0.25≤I3/I1≤0.50(5)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的層疊膜,其中,對所述薄膜層表面進(jìn)行紅外光譜測定的情況下,存在于770~830cm-1的峰值強(qiáng)度(I3)與存在于870~910cm-1的峰值強(qiáng)度(I4)的強(qiáng)度比在下述式(6)的范圍,
0.70≤I4/I3<1.00(6)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的層疊膜,其中,所述薄膜層是利用等離子體CVD法而形成的。
8.一種撓性電子設(shè)備,其中,將權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的層疊膜用作基板。
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