[發(fā)明專利]用于通過經(jīng)由OTP元件的冗余分配在突發(fā)刷新中對存儲器進(jìn)行系統(tǒng)內(nèi)修復(fù)的方法和裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580051557.0
• 申請日: 2015-09-16
• 公開（公告）號: CN106716540A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·P·金;D·T·程;D·V·斯里拉瑪吉利;J·徐
• 申請（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406;G11C17/18;G11C29/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 袁逸,陳煒

1.一種用于修復(fù)具有冗余電路的隨機(jī)存取存儲器(RAM)的方法，包括：

接收出錯信息，其中所述出錯信息標(biāo)識所述RAM的失效地址；以及

響應(yīng)于所述出錯信息，對所述冗余電路應(yīng)用一次性編程，并且在對所述冗余電路應(yīng)用所述一次性編程之時將所述RAM的內(nèi)容維持在有效狀態(tài)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述出錯信息包括標(biāo)識所述冗余電路的目標(biāo)區(qū)域的信息，并且其中所述冗余電路的所述目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)于所述失效地址。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對冗余電路應(yīng)用所述一次性編程包括對所述冗余電路的所述目標(biāo)區(qū)域的至少一部分進(jìn)行一次性編程，并且在對所述目標(biāo)區(qū)域的至少一部分進(jìn)行一次性編程之時將所述RAM的內(nèi)容維持在有效狀態(tài)。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，應(yīng)用所述一次性編程是所述一次性編程的第一迭代，其中所述一次性編程的第一迭代對所述目標(biāo)區(qū)域的至少第一部分進(jìn)行編程，并且其中所述方法還包括：

對所述冗余電路的所述目標(biāo)區(qū)域的至少第二部分應(yīng)用所述一次性編程的第二迭代。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次性編程是對所述冗余電路的與所述失效地址的至少一部分相對應(yīng)的至少一部分進(jìn)行編程的一次性編程的迭代，并且其中所述方法還包括：

應(yīng)用對所述冗余電路的與所述失效地址的至少另一部分相對應(yīng)的至少另一部分進(jìn)行編程的一次性編程迭代的另一次迭代。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，還包括在將所述RAM的內(nèi)容維持在有效狀態(tài)的同時重復(fù)對所述冗余電路應(yīng)用一次性編程的另一次迭代，直到滿足終止條件。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述終止條件包括完成編程條件。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

在確定滿足所述完成編程條件之際，測試對所述失效地址的修復(fù)；以及

在測試對所述失效地址的修復(fù)的結(jié)果為否定之際，生成失敗修復(fù)報告。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述完成編程條件在確定已經(jīng)對所述冗余電路的與所述失效地址相對應(yīng)的所有部分應(yīng)用了所述一次性編程之際被滿足。

10.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括驗證另一個一次性編程對所述冗余電路的每一次應(yīng)用，其中所述終止條件還包括檢測到所述驗證的失敗。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括響應(yīng)于檢測到所述驗證的失敗，生成失敗修復(fù)報告。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

檢測所述RAM的存取錯誤；以及

至少部分地基于檢測到所述RAM的存取錯誤，生成所述出錯信息，其中所述出錯信息包括標(biāo)識所述冗余電路的目標(biāo)區(qū)域的信息。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

檢測與所述RAM的存取相關(guān)聯(lián)的錯誤，并且作為響應(yīng)，確定所述錯誤是否滿足用于調(diào)用對所述RAM的修復(fù)的準(zhǔn)則；以及

至少部分地基于確定所述錯誤滿足用于調(diào)用對所述RAM的修復(fù)的準(zhǔn)則，生成所述出錯信息。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述用于調(diào)用對所述RAM的修復(fù)的準(zhǔn)則包括多位錯誤。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述用于調(diào)用對所述RAM的修復(fù)的準(zhǔn)則包括與所述RAM中的地址相關(guān)聯(lián)的重復(fù)錯誤。

16.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括將所述出錯信息的至少一部分加載到與所述RAM相關(guān)聯(lián)的存儲器寄存器中。

17.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

與生成所述出錯信息相關(guān)聯(lián)地，向存儲器控制器發(fā)送來自所述RAM的所述錯誤的通知。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，向所述存儲器控制器發(fā)送來自所述RAM的所述錯誤的通知是通過所述RAM與所述存儲器控制器之間的直接反向通道來發(fā)送的。