[發明專利]使用參考字線的高速緩存MRAM的讀操作

有效

• 申請號: 201580051172.4
• 申請日: 2015-09-09
• 公開（公告）號: CN107112045B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: T·金;S·金;J·P·金;X·董
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 唐杰敏;陳煒

1.一種對包括磁阻式隨機存取存儲器MRAM位單元的MRAM數據陣列執行讀操作的方法，所述方法包括：

接收索引；

在確定所述MRAM數據陣列中是否存在針對與所述讀操作相對應的第一地址的命中之前，基于所接收的索引的第一部分來激活虛設字線，其中所述命中提供與所述MRAM數據陣列相關聯的標簽陣列的n個通道之一中的匹配通道的指示，所述n個通道在所接收的索引處，并且其中所述讀操作包括響應于所述命中來激活第一字線，所述第一字線耦合至所述MRAM數據陣列的對應于所述標簽陣列中的所述匹配通道并且在所接收的索引處的通道中的MRAM位單元；

響應于所述虛設字線的所述激活來獲得用于讀取耦合至所述第一字線的MRAM位單元的穩定參考電壓；以及

如果存在命中，則使用所述穩定參考電壓來讀取耦合至所述第一字線的所述MRAM位單元。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一地址的位子集對應于所接收的索引的所述第一部分。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，包括根據所接收的索引的第二部分來確定耦合至所述第一字線的所述MRAM位單元的列地址。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，如果存在未命中，則停用所述虛設字線并且避免激活耦合至所述MRAM位單元的所述第一字線。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括在耦合至所述MRAM位單元的所述第一字線被激活以用于所述讀操作之后停用所述虛設字線。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，從連接至所述虛設字線的虛設單元推導所述穩定參考電壓。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述虛設字線和所述虛設單元是對應于兩個或更多個地址的兩個或更多個行所共有的。

8.一種電子裝備，包括：

包括磁阻式隨機存取存儲器MRAM位單元的MRAM數據陣列；

被配置為接收索引的邏輯；

配置成在確定所述MRAM數據陣列中是否存在針對與讀操作相對應的第一地址的命中之前，基于所接收的索引的第一部分來激活虛設字線的邏輯，其中所述命中提供與所述MRAM數據陣列相關聯的標簽陣列的n個通道之一中的匹配通道的指示，所述n個通道在所接收的索引處，并且其中所述讀操作包括響應于所述命中來激活第一字線，所述第一字線耦合至所述MRAM數據陣列的對應于所述標簽陣列中的所述匹配通道并且在所接收的索引處的通道中的MRAM位單元；

配置成響應于所述虛設字線的所述激活來獲得用于對耦合至所述第一字線的所述MRAM位單元的所述讀操作的穩定參考電壓的邏輯；以及

配置成如果存在命中，則使用所述穩定參考電壓來對耦合至所述第一字線的所述MRAM位單元執行所述讀操作的邏輯。

9.如權利要求8所述的電子裝備，其特征在于，所述第一地址的位子集對應于所接收的索引的所述第一部分。

10.如權利要求9所述的電子裝備，其特征在于，包括配置成根據所接收的索引的第二部分來確定耦合至所述第一字線的所述MRAM位單元的列地址的邏輯。

11.如權利要求8所述的電子裝備，其特征在于，包括配置成如果存在未命中則停用所述虛設字線并且避免激活耦合至所述MRAM位單元的所述第一字線的邏輯。

12.如權利要求8所述的電子裝備，其特征在于，進一步包括配置成在耦合至所述MRAM位單元的所述第一字線被激活以用于所述讀操作之后停用所述虛設字線的邏輯。

13.如權利要求8所述的電子裝備，其特征在于，所述穩定參考電壓是從連接至所述虛設字線的虛設單元推導得到的。