[發(fā)明專利]光纖及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580051121.1 | 申請日： | 2015-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN106716198B | 公開（公告）日： | 2019-06-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 遠(yuǎn)藤祥;岸達也;北村隆之 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社藤倉 |
| 主分類號： | G02B6/028 | 分類號： | G02B6/028 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艷君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光纖 及其 制造 方法 | ||
1.一種光纖，其中，
具備芯體和包圍所述芯體的外周的包層，
所述包層具有與所述芯體的外周側(cè)鄰接的內(nèi)包層部和形成在所述內(nèi)包層部的外周側(cè)的外包層部，
具有用Δ(r)表示相對于距所述芯體的中心的距離r的相對折射率差的折射率分布，
用[式1]
表示的A的值在0.3％·μm以下，其中，r的單位是μm，相對折射率差Δ(r)的單位是％，Δref(r)＝－0.064r+0.494，MFD1.31是波長1.31μm時的模場直徑，
將所述內(nèi)包層部的最小折射率設(shè)為Δ2min，并將所述外包層部的折射率設(shè)為Δ3，則下述式成立，
0.01％＜|Δ2min－Δ3|＜0.03％
所述芯體的外周半徑r1與所述內(nèi)包層部的外周半徑r2之比r1/r2在下述式所示的范圍內(nèi)，
0.2≤r1/r2≤0.5。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中，
波長1.31μm時的模場直徑MFD1.31在8.93μm以上9.4μm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，其中，
芯體整體中的最大相對折射率差Δmax與距芯體的中心的距離r在1μm以下的范圍內(nèi)的最大相對折射率差Δc相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，其中，
芯體整體中的最大相對折射率差Δmax比0.39％大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，其中，
芯體整體中的最大相對折射率差Δmax比0.50％小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，其中，
光纜截止波長λcc在1260nm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，其中，
光纜截止波長λcc在1170nm以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，其中，
用波長1.31μm時的模場直徑MFD1.31與光纜截止波長λcc之比即MFD1.31/λcc表示的MAC值在7.38以上7.7以下。
9.一種光纖的制造方法，是具有用Δ(r)表示相對于距芯體的中心的距離r的相對折射率差的折射率分布的、權(quán)利要求1～8中任意一項所述的光纖的制造方法，其中，
具有計算用[式2]
表示的A的值的工序、和確認(rèn)所述A的值在0.3％·μm以下的工序，其中，r的單位是μm，相對折射率差Δ(r)的單位是％，Δref(r)＝－0.064r+0.494，MFD1.31是波長1.31μm時的模場直徑。
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