[發(fā)明專利]靜電吸盤裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580051119.4
• 申請日: 2015-09-24
• 公開（公告）號: CN106716619B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 河野仁;高橋健太郎;牛坊文洋
• 申請（專利權(quán)）人: 住友大阪水泥股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/3065;H02N13/00;B23Q3/15
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 方應(yīng)星;高培培

1.一種靜電吸盤裝置，其特征在于，具備：

載置臺，設(shè)有載置板狀試樣的載置面；

環(huán)狀的聚焦環(huán)，配置在所述載置臺上，將所述載置面的周圍包圍；及

冷卻單元，對所述載置臺及所述聚焦環(huán)進行冷卻，

所述載置臺具有保持部，所述保持部在所述載置面的周圍沿著所述聚焦環(huán)的周向設(shè)置并對所述聚焦環(huán)進行靜電吸附，

所述保持部具有：一對堤部，沿著所述周向設(shè)置并載置所述聚焦環(huán)；及環(huán)狀的槽部，形成在所述一對堤部之間，

所述冷卻單元向所述槽部供給傳熱氣體，

在所述槽部的底面設(shè)有凸部，

所述一對堤部與所述聚焦環(huán)接觸，

所述凸部與所述聚焦環(huán)不接觸，

所述一對堤部與所述凸部協(xié)作而對所述聚焦環(huán)進行靜電吸附。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤裝置，其特征在于，

所述凸部包含多個突起。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靜電吸盤裝置，其特征在于，

所述凸部包含凸條部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤裝置，其特征在于，

所述凸部的面積為所述槽部的面積的10％以上且80％以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤裝置，其特征在于，

所述聚焦環(huán)的下表面與所述凸部的頂點之間的間隔距離為1μm以上且10μm以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤裝置，其特征在于，

所述載置臺具有由電介質(zhì)層構(gòu)成的載置面，該電介質(zhì)層的形成材料是由從氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化釔(Y₂O₃)及碳化硅(SiC)中選擇的1種構(gòu)成的陶瓷、或者包含其中2種以上的復(fù)合陶瓷。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電吸盤裝置，其特征在于，

所述電介質(zhì)層的形成材料是平均結(jié)晶粒徑為10μm以下的陶瓷材料。

8.一種靜電吸盤裝置，其特征在于，具備：

載置臺，設(shè)有載置板狀試樣的載置面；

環(huán)狀的聚焦環(huán)，配置在所述載置臺上，將所述載置面的周圍包圍；及

冷卻單元，對所述載置臺及所述聚焦環(huán)進行冷卻，

所述載置臺具有保持部，所述保持部在所述載置面的周圍沿著所述聚焦環(huán)的周向設(shè)置并對所述聚焦環(huán)進行靜電吸附，

所述保持部具有：一對堤部，沿著所述周向設(shè)置并載置所述聚焦環(huán)；及環(huán)狀的槽部，形成在所述一對堤部之間，

在所述一對堤部中的至少位于所述聚焦環(huán)的外周側(cè)的堤部上，在與所述聚焦環(huán)相對的面上形成包含多個微小突起的微小突起部，

所述冷卻單元向所述槽部供給傳熱氣體，

所述多個微小突起與所述聚焦環(huán)接觸并對所述聚焦環(huán)進行靜電吸附。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜電吸盤裝置，其特征在于，

在所述一對堤部的雙方上，在與所述聚焦環(huán)相對的面上形成所述微小突起部，

所述多個微小突起與所述聚焦環(huán)接觸并對所述聚焦環(huán)進行靜電吸附。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的靜電吸盤裝置，其特征在于，

在所述一對堤部中，從位于所述聚焦環(huán)的外周側(cè)的所述堤部的傳熱氣體的流出量比從另一方的堤部的傳熱氣體的流出量多。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜電吸盤裝置，其特征在于，

在所述聚焦環(huán)的外周側(cè)的所述堤部上設(shè)置的所述多個微小突起彼此的分離距離比在所述聚焦環(huán)的內(nèi)周側(cè)的所述堤部上設(shè)置的所述多個微小突起彼此的分離距離寬。