[發明專利]電子發射裝置和設置有其的晶體管

有效

• 申請號: 201580050591.6
• 申請日: 2015-10-02
• 公開（公告）號: CN107078003B
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 石川剛;勝野高志;副島成雅
• 申請（專利權）人: 株式會社豐田中央研究所
• 主分類號: H01J1/304
• 分類號: H01J1/304;H01S3/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 魯山;孫志湧

1.一種電子發射裝置，包括：

基板；和

電子發射層，所述電子發射層被設置在所述基板上方，其中，開口被布置在所述電子發射層中，

其中，所述電子發射層具有限定所述開口的邊緣，并且被配置為當所述邊緣被光輻照時從所述邊緣發射電子。

2.根據權利要求1所述的電子發射裝置，進一步包括：

光輻照器，所述光輻照器被配置為朝向所述電子發射層輻照所述光。

3.根據權利要求2所述的電子發射裝置，其中

所述電子發射層的所述開口包括當沿著正交于所述基板的上表面的方向看時在所述開口的縱向方向上延伸的形狀，并且

所述光輻照器被配置為輻照線性偏振光的激光束，所述線性偏振光的電場的振蕩平面正交于所述縱向方向

其中，所述線性偏振光的電場的振蕩平面是由所述線性偏振光的電場振蕩方向和所述線性偏振光的光傳播方向限定的平面。

4.根據權利要求2或者3所述的電子發射裝置，其中

所述基板的材料對所述光輻照器的所述光是透明的，并且

所述光輻照器被配置為透過所述基板朝向所述電子發射層輻照所述光。

5.根據權利要求1所述的電子發射裝置，進一步包括：

引出電極，所述引出電極被設置在所述電子發射層上方，其中，開口被布置在所述引出電極中，

其中，所述引出電極的所述開口位于所述電子發射層的所述開口上方。

6.根據權利要求5所述的電子發射裝置，其中

當沿著正交于所述基板的上表面的方向看時，限定所述電子發射層的所述開口的所述邊緣在所述引出電極的所述開口內。

7.根據權利要求5或者6所述的電子發射裝置，其中

凸部被布置在所述基板的上表面上，

所述凸部的側表面的一部分被所述電子發射層覆蓋，并且

所述凸部的頂表面通過所述電子發射層的所述開口暴露。

8.一種晶體管，包括：

基板；

陰極層，所述陰極層被設置在所述基板上方，其中，開口被布置在所述陰極層中；和

陽極層，所述陽極層被設置在所述陰極層上方，

其中，所述陰極層具有限定所述開口的邊緣，并且被配置為當所述邊緣被光輻照時從所述邊緣發射電子。

9.根據權利要求8所述的晶體管，進一步包括：

光輻照器，所述光輻照器配置為朝向所述陰極層輻照所述光。

10.根據權利要求9所述的晶體管，其中

所述陰極層的所述開口具有當沿著正交于所述基板的上表面的方向看時沿著所述開口的縱向方向延伸的形狀，并且

所述光輻照器被配置為輻照線性偏振光的激光束，所述線性偏振光的電場的振蕩平面正交于所述縱向方向，

其中，所述線性偏振光的電場的振蕩平面是由所述線性偏振光的電場振蕩方向和所述線性偏振光的光傳播方向限定的平面。

11.根據權利要求9或者10所述的晶體管，其中

所述基板的材料對所述光輻照器的所述光是透明的，并且

所述光輻照器被配置為透過所述基板朝向所述陰極層輻照所述光。

12.根據權利要求8所述的晶體管，進一步包括：

引出電極，所述引出電極被設置在所述陰極層和所述陽極層之間，其中，開口被布置在所述引出電極中，

其中，所述引出電極的所述開口位于所述陰極層的所述開口上方。

13.根據權利要求12所述的晶體管，其中

當沿著正交于所述基板的上表面的方向看時，限定所述陰極層的所述開口的所述邊緣在所述引出電極的所述開口內。

14.根據權利要求12或者13所述的晶體管，其中

凸部被布置在所述基板的上表面上，

所述凸部的側表面的一部分被所述陰極層覆蓋，并且

所述凸部的頂表面通過所述陰極層的所述開口暴露。