[發明專利]參數引腳測量單元高電壓擴展

有效

• 申請號: 201580050517.4
• 申請日: 2015-09-21
• 公開（公告）號: CN107003344B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 帕特里克·G·蘇利萬
• 申請（專利權）人: 艾利維特半導體公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種用于測量信號的集成電路(IC)組件，包括：

參數引腳測量單元，所述參數引腳測量單元被配置為發送強制信號，所述參數引腳測量單元具有第一放大器和第二放大器，通過連接在所述第二放大器的輸出端和所述第一放大器的輸入端之間的公共電阻器，所述第二放大器的所述輸出端連接到所述第一放大器的所述輸入端；

電壓-電流轉換器，所述電壓-電流轉換器經由所述公共電阻器連接到所述第二放大器的輸出端，所述電壓-電流轉換器具有第一輸出和第二輸出；

多個n溝道MOSFET，所述多個n溝道MOSFET連接到所述電壓-電流轉換器的所述第一輸出；

多個p溝道MOSFET，所述多個p溝道MOSFET連接到所述電壓-電流轉換器的所述第二輸出；

緩沖放大器，所述緩沖放大器連接到所述多個n溝道MOSFET和所述多個p溝道MOSFET之間的輸出端口；以及

電阻分壓器，所述電阻分壓器連接到所述緩沖放大器的輸出，所述電阻分壓器具有第一電阻器和第二電阻器；

由此，依賴于在所述參數引腳測量單元的所述第二放大器的輸入端與所述第一放大器的輸出端處的連接，所述集成電路(IC)組件允許所述信號的更低和更高的電壓和電流的測量。

2.根據權利要求1所述的集成電路(IC)組件，其中，當在所述第二放大器的正端處給予強制電壓并且來自所述緩沖放大器的輸出被施加到所述第二放大器的負端時，導致所述參數引腳測量單元的強制電壓模式。

3.根據權利要求1所述的集成電路(IC)組件，其中，當在所述第二放大器的正端處給予代表強制電流的電壓并且來自所述第一放大器的輸出被施加到所述第二放大器的負端時，導致所述參數引腳測量單元的強制電流模式。

4.根據權利要求1所述的集成電路(IC)組件，其中，所述多個n溝道MOSFET和所述多個p溝道MOSFET充當電流鏡電路。

5.根據權利要求1所述的集成電路(IC)組件，其中，所述多個n溝道MOSFET中的至少一個和所述多個p溝道MOSFET中的至少一個被柵極-漏極連接。

6.一種用于測量高電流范圍的集成電路(IC)，包括：

參數引腳測量單元，所述參數引腳測量單元具有第一放大器和第二放大器，通過連接在所述第二放大器的輸出端和所述第一放大器的輸入端之間的公共電阻器，所述第二放大器的所述輸出端被施加到所述第一放大器的所述輸入端；

電壓-電流轉換器，所述電壓-電流轉換器經由所述公共電阻器連接到所述第二放大器的輸出端，所述電壓-電流轉換器具有第一輸出和第二輸出；

多個n溝道MOSFET，所述多個n溝道MOSFET連接到所述電壓-電流轉換器的所述第一輸出；

多個p溝道MOSFET，所述多個p溝道MOSFET連接到所述電壓-電流轉換器的所述第二輸出；

緩沖放大器，所述緩沖放大器連接到所述多個n溝道MOSFET和所述多個p溝道MOSFET之間的輸出端口；以及

電阻分壓器，所述電阻分壓器具有連接到所述緩沖放大器的輸出的第一電阻器和第二電阻器，所述電阻分壓器將反饋信號提供到所述第二放大器的負端；

由此，當強制電壓(VFORCE)被施加到所述第二放大器的正端時，能夠從所述多個n溝道MOSFET和所述多個p溝道MOSFET之間的所述輸出端口測量電流。

7.根據權利要求6所述的集成電路(IC)，其中，根據來自所述電阻分壓器的反饋電壓來確定被施加到所述第二放大器的正端的所述強制電壓(VFORCE)。

8.根據權利要求6所述的集成電路(IC)，其中，來自所述電阻分壓器的反饋電壓由在所述輸出端口處的下述電壓來確定，所述電壓由緩沖放大器緩沖并且然后由電阻分壓器分壓。

9.根據權利要求6所述的集成電路(IC)，其中，所述多個n溝道MOSFET和所述多個p溝道MOSFET充當電流鏡電路。