[發(fā)明專利]近場通訊NFC設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580050475.4
• 申請日: 2015-09-17
• 公開（公告）號: CN107251353B
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: B·謝克霍勒斯拉姆
• 申請（專利權(quán)）人: 高通國際科技有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H04B5/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種近場通信NFC設(shè)備，包括：

天線，包括第一天線端子和第二天線端子；

通信電路；以及

保護電路，耦合至所述天線并被配置為針對由所述天線輸出的電壓保護所述通信電路，所述保護電路包括控制器，所述控制器包括：

伺服回路，被配置為在對所述NFC設(shè)備通電的第一模式中生成控制信號；

多個二極管，被配置為基于在所述NFC設(shè)備未通電的第二模式中由所述天線輸出的電壓，來生成所述控制信號；

第一電流控制裝置，耦合至所述第一天線端子并且對所述控制信號做出響應；以及

第二電流控制裝置，耦合至所述第二天線端子并且對所述控制信號做出響應，所述保護電路還被配置為基于所述天線的輸出電壓的極性，將電流流入至所述第一天線端子和所述第二天線端子中的至少一個天線端子或?qū)㈦娏鲝乃龅谝惶炀€端子和所述第二天線端子中的至少一個天線端子流出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NFC設(shè)備，其中，所述伺服回路被配置為基于在所述天線的經(jīng)感測的峰值輸出電壓和期望峰值輸出電壓之間的比較來生成所述控制信號。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NFC設(shè)備，其中，所述多個二極管包括：

多個第一二極管，耦合在所述第一天線端子和所述第一電流控制裝置的控制輸入之間；以及

多個第二二極管，耦合在所述第二天線端子和所述第二電流控制裝置的控制輸入之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的NFC設(shè)備，其中，所述控制器還包括開關(guān)裝置，所述開關(guān)裝置被配置為控制流經(jīng)所述多個第一二極管和所述多個第二二極管的電流。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的NFC設(shè)備，其中，至少所述多個第一二極管在所述NFC設(shè)備通電時被反向偏置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NFC設(shè)備，其中，所述第一電流控制裝置和所述第二電流控制裝置包括晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的NFC設(shè)備，其中，所述晶體管包括第一N溝道MOSFET和第二N溝道MOSFET。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的NFC設(shè)備，其中，

所述第一N溝道MOSFET和所述第二N溝道MOSFET的柵極端子互相耦合并且耦合至所述控制器的輸出；

所述第一N溝道MOSFET和所述第二N溝道MOSFET的源極端子互相耦合；以及

所述第一N溝道MOSFET的漏極端子耦合至所述第一天線端子，以及所述第二N溝道MOSFET的漏極端子耦合至所述第二天線端子。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NFC設(shè)備，其中，所述保護電路被進一步配置為：

基于所述輸出電壓的極性為正，經(jīng)由所述第一電流控制裝置將電流流入所述第一天線端子以及經(jīng)由所述第二電流控制裝置將電流從所述第二天線端子流出；以及

基于所述輸出電壓的極性為負，經(jīng)由所述第一電流控制裝置將電流從所述第一天線端子流出以及經(jīng)由所述第二電流控制裝置將電流流入所述第二天線端子。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NFC設(shè)備，其中，所述多個二極管被配置為在所述第二模式期間從磁場獲取能量。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的NFC設(shè)備，其中，所述控制器還包括電容器，所述電容器被配置為存儲所獲取的能量。