[發(fā)明專利]使用張力的圖像傳感器彎曲有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580050443.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-09-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106716639B | 公開(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | B·K·古恩特 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 微軟技術(shù)許可有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 王茂華;張寧 |
| 地址: | 美國華*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 張力 圖像傳感器 彎曲 | ||
1.一種圖像傳感器彎曲的方法,包括:
在成像傳感器芯片的第一表面上粘合或沉積彎曲襯底,其中所述成像傳感器芯片的所述第一表面包括一個(gè)或多個(gè)光傳感器以響應(yīng)于在所述第一表面上接收到光而產(chǎn)生電信號(hào),其中歸因于所述彎曲襯底中的槽口或溝槽中的一者或兩者,所述彎曲襯底的剛度在所述成像傳感器芯片的不同部分之間變化,其中所述彎曲襯底的所述剛度基于所述彎曲襯底的厚度,其中所述彎曲襯底的所述厚度在所述彎曲襯底的不同部分不同,并且其中所述槽口或所述溝槽中的所述一者或所述兩者同心地分布在所述彎曲襯底的中心區(qū)域周圍;以及
向所述彎曲襯底施加力以便彎曲所述彎曲襯底以及因此在所述成像傳感器芯片上施加彎曲力,以產(chǎn)生被彎曲的成像傳感器芯片,所述彎曲力至少部分地基于所述彎曲襯底的所述剛度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
將所述被彎曲的成像傳感器芯片的第二表面粘合至背側(cè)襯底,其中所述第二表面與所述第一表面相對(duì);以及
在粘合所述第二表面之后,從所述被彎曲的成像傳感器芯片的所述第一表面移除所述彎曲襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,從所述被彎曲的成像傳感器的所述第一表面移除所述彎曲襯底包括從所述被彎曲的成像傳感器芯片的所述第一表面熱解接合所述彎曲襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述背側(cè)襯底包括至少一個(gè)彎曲表面,所述至少一個(gè)彎曲表面具有至少近似地等于所述被彎曲的成像傳感器芯片的所述第一表面的焦距倒數(shù)的曲率半徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在所述成像傳感器芯片的所述第一表面上粘合或沉積所述彎曲襯底包括使用粘合劑將所述彎曲襯底粘合至所述成像傳感器芯片的所述第一表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在所述成像傳感器芯片的所述第一表面上粘合或沉積所述彎曲襯底包括使用沉積工藝在所述成像傳感器芯片的所述第一表面上形成所述彎曲襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
在所述成像傳感器芯片的所述第一表面上粘合或沉積所述彎曲襯底之前,在所述彎曲襯底中形成所述槽口或所述溝槽中的所述一者或所述兩者,其中所述彎曲襯底的所述剛度進(jìn)一步基于所述彎曲襯底中的所述槽口或所述溝槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述彎曲襯底中的多個(gè)所述槽口或所述溝槽的深度變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述槽口或所述溝槽中的所述一者或所述兩者位于彎曲襯底的第一表面和彎曲襯底的第二表面兩者上,彎曲襯底的所述第一表面是所述成像傳感器芯片的相同側(cè),彎曲襯底的所述第二表面是所述成像傳感器芯片的相對(duì)側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,彎曲所述彎曲襯底包括施加受壓氣體或液體至所述彎曲襯底上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述被彎曲的成像傳感器芯片的所述第一表面是內(nèi)凹的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





