[發(fā)明專利]附帶冷卻器的功率模塊用基板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580050213.8
• 申請日: 2015-10-09
• 公開（公告）號: CN107112298A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大井宗太郎;大開智哉;北原丈嗣
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: H01L23/36
• 分類號: H01L23/36;H01L23/12
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018
• 代理人: 齊葵,周艷玲

1.一種附帶冷卻器的功率模塊用基板的制造方法，其特征在于，具有：

第1接合工序，在陶瓷基板的一個面接合由銅或銅合金構(gòu)成的金屬板以形成電路層，并且在所述陶瓷基板的另一個面接合由銅或銅合金構(gòu)成的金屬板以形成第1金屬層；

第2接合工序，通過固相擴(kuò)散接合來接合金屬板與所述第1金屬層以形成第2金屬層，所述金屬板由鋁或鋁合金構(gòu)成或者由鎳或鎳合金構(gòu)成；及

第3接合工序，使用含Mg的Al系釬焊材料在所述第2金屬層釬焊接合由鋁合金構(gòu)成的冷卻器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板的制造方法，其特征在于，

在所述第2接合工序中，將鈦箔夾在所述第1金屬層與所述第2金屬層之間，分別將所述第1金屬層與所述鈦箔及所述第2金屬層與所述鈦箔固相擴(kuò)散接合，

在所述第3接合工序中，使用Al-Si-Mg系釬焊材料來釬焊接合所述第2金屬層與所述冷卻器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板的制造方法，其特征在于，

所述鈦箔的面積大于所述第1金屬層的面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板的制造方法，其特征在于，

在所述第2接合工序中，所述第2金屬層使用由鋁或鋁合金構(gòu)成的所述金屬板而形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板的制造方法，其特征在于，

在所述第2接合工序中，所述第2金屬層使用由鎳或鎳合金構(gòu)成的所述金屬板而形成，

并且同時進(jìn)行所述第1接合工序及所述第2接合工序。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板的制造方法，其特征在于，

所述第2金屬層的面積大于所述第1金屬層的面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板的制造方法，其特征在于，

在所述第2接合工序中，在所述第2金屬層進(jìn)一步層疊鋁板，并通過固相擴(kuò)散接合來分別接合所述第1金屬層與所述第2金屬層及所述第2金屬層與所述鋁板。

8.一種附帶冷卻器的功率模塊用基板，其特征在于，具備：

陶瓷基板；

電路層，接合于所述陶瓷基板的一個面且由銅或銅合金構(gòu)成；

第1金屬層，接合于所述陶瓷基板的另一個面且由銅或銅合金構(gòu)成；

第2金屬層，接合于所述第1金屬層且由鋁或鋁合金構(gòu)成或者由鎳或鎳合金構(gòu)成；及

冷卻器，接合于所述第2金屬層且由鋁合金構(gòu)成，

在所述第1金屬層中，接合于其表面的部件中的金屬原子以擴(kuò)散的狀態(tài)存在，

并且在所述第2金屬層中，接合于其表面的部件中的金屬原子以擴(kuò)散的狀態(tài)存在。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板，其特征在于，還具有：

鈦層，介于所述第1金屬層與所述第2金屬層之間，

在所述第1金屬層中及所述第2金屬層中，所述鈦層中的鈦以擴(kuò)散的狀態(tài)存在。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板，其特征在于，

所述鈦層的面積大于所述第1金屬層的面積。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板，其特征在于，

所述第2金屬層由鋁或鋁合金構(gòu)成。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板，其特征在于，

所述第2金屬層由鎳或鎳合金構(gòu)成。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板，其特征在于，

所述第2金屬層的面積大于所述第1金屬層的面積。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的附帶冷卻器的功率模塊用基板，其特征在于，還具有：

鋁層，介于所述第2金屬層與所述冷卻器之間。