[發明專利]肖特基鉗位的射頻開關

在審

• 申請號: 201580050127.7
• 申請日: 2015-09-15
• 公開（公告）號: CN107078099A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: P·A·奈加德
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/07;H01L27/12;H01L29/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,張寧

1.一種具有鉗位主體的射頻開關，包括：

溝道，將源極和漏極分隔；

鉗位區域，跨越所述溝道、延伸至所述源極和所述漏極中、并且具有相比于所述源極和所述漏極兩者較低的摻雜劑濃度；以及

匹配的硅化物區域的配對，被形成在所述溝道的任一側上并且與所述鉗位區域接觸；

其中所述鉗位區域與所述匹配的硅化物區域的配對形成肖特基二極管勢壘的配對；

其中所述射頻開關可以在多個操作模式中操作；以及

其中所述肖特基二極管勢壘的配對獨立于其中所述射頻開關所操作的操作模式，為在所述鉗位主體中累積的電荷提供恒定宿。

2.根據權利要求1所述的射頻開關，包括：

匹配的鉗位區域，跨越所述溝道；

其中所述匹配的鉗位區域的縱向維度向量平行于所述鉗位區域的縱向維度向量；以及

其中所述匹配的鉗位區域與所述鉗位區域被間隔開至少5微米。

3.根據權利要求2所述的射頻開關，包括：

多個晶體管叉指；以及

多個額外的鉗位區域；

其中所述多個晶體管叉指包括多個叉指寬度，其均對所述溝道的總寬度有貢獻；以及

其中在所述多個額外的鉗位區域中的每個額外的鉗位區域沿著在所述多個叉指寬度中的叉指寬度與所述多個鉗位區域中所有其他額外的鉗位區域間隔開小于20微米。

4.根據權利要求3所述的射頻開關，其中：

所述鉗位區域和所述多個額外的鉗位區域中的每一個額外的鉗位區域沿著所述溝道的整個寬度是至少0.2微米寬。

5.根據權利要求1所述的射頻開關，其中：

所述鉗位區域包括硅；以及

所述源極、所述漏極和所述鉗位主體均與絕緣體上硅晶片的掩埋絕緣體層接觸。

6.根據權利要求1所述的射頻開關，其中：

所述鉗位區域、所述源極和所述漏極均使用具有適度注入濃度的輕摻雜漏極注入而被摻雜；

所述源極和所述漏極也使用具有重注入濃度的重注入而被摻雜；以及

所述較低的摻雜劑濃度比所述源極和所述漏極的摻雜劑濃度小至少在所述適度注入濃度和所述重注入濃度之間的差值。

7.一種具有鉗位主體的射頻開關，包括：

溝道，將所述射頻開關的源極和漏極分隔；

半導體材料的第一鉗位區域，其：(i)跨越所述溝道；(ii)包括延伸至所述源極中的第一接觸區域；以及(iii)包括延伸至所述漏極中的第二接觸區域；

第一硅化物區域，形成在所述第一接觸區域上；以及

第二硅化物區域，形成在所述第二接觸區域上；

其中所述半導體材料的所述第一鉗位區域具有相比于所述源極和所述漏極較低的摻雜劑濃度；

其中所述第一接觸區域與所述第一硅化物區域形成第一肖特基二極管勢壘；以及

其中所述第二接觸區域與所述第二硅化物區域形成第二肖特基二極管勢壘。

8.根據權利要求7所述的射頻開關，包括：

所述半導體材料的匹配的鉗位區域，跨越所述溝道；

其中所述半導體材料的所述匹配的鉗位區域的縱向維度向量平行于所述半導體材料的所述第一鉗位區域的縱向維度向量；以及

其中所述半導體材料的所述第一鉗位區域與所述半導體材料的所述匹配的鉗位區域沿著所述溝道的寬度間隔開小于20微米。

9.根據權利要求8所述的射頻開關，包括：

多個晶體管叉指；以及

多個額外的鉗位區域；

其中所述多個晶體管叉指包括多個叉指寬度，其均對所述溝道的寬度有貢獻；以及

其中所述多個鉗位區域中的每個額外的鉗位區域沿著所述多個叉指寬度中的叉指寬度與所述多個鉗位區域中的所有其他額外的鉗位區域間隔開小于20微米但是大于5微米。

10.根據權利要求9所述的射頻開關，其中：

所述鉗位區域和所述多個額外的鉗位區域中的每一個額外的鉗位區域沿著所述溝道的寬度是至少0.2微米寬。

11.根據權利要求7所述的射頻開關，其中：

所述第一鉗位區域包括硅；以及

所述源極、所述漏極和所述鉗位主體均與絕緣體上晶片的掩埋絕緣體層接觸。