[發(fā)明專利]陶瓷顆粒及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201580050007.7
• 申請日: 2015-07-16
• 公開（公告）號: CN107074661A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 斯蒂芬·德西萊斯;胡伯特·弗朗索瓦
• 申請（專利權(quán)）人: 馬國都國際有限責(zé)任公司
• 主分類號: C04B35/119
• 分類號: C04B35/119;C04B35/488;C04B41/88;C04B35/636;B24D3/00;B24D5/12;B24D11/00;B24D18/00;F41H5/04;C09K3/14
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018
• 代理人: 張燕,王珍仙

1.用于制備陶瓷顆粒的方法，所述方法包括：

-制備包含無機(jī)粒子和膠凝劑的漿料；

-制備所述漿料的液滴；

-將所述液滴引入液體膠凝反應(yīng)介質(zhì)中，其中所述液滴被膠凝化；

-在膠凝化之前、期間或之后使所述液滴變形；

-干燥膠凝化的變形的液滴，從而獲得干燥的顆粒并燒結(jié)所述干燥的顆粒，從而獲得所述陶瓷顆粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過使所述液滴穿過空氣或另外的氣氛下落到所述膠凝反應(yīng)介質(zhì)中，將所述液滴引入所述膠凝反應(yīng)介質(zhì)中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，在接收所述液滴之后，通過所述液滴對用于使所述液滴變形而排布的變形機(jī)構(gòu)沖擊使所述液滴變形，其中所述變形機(jī)構(gòu)優(yōu)選存在于所述膠凝反應(yīng)介質(zhì)的表面處或在所述膠凝反應(yīng)介質(zhì)中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述變形機(jī)構(gòu)包含穿孔、格柵、網(wǎng)格或網(wǎng)孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其中，所述變形機(jī)構(gòu)是傾斜的。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述變形包括使所述液滴經(jīng)過擠出步驟。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述膠凝劑為陰離子聚合物，優(yōu)選陰離子多糖，例如海藻酸鹽，并且其中所述膠凝反應(yīng)介質(zhì)包含多價陽離子，所述多價陽離子與所述陰離子聚合物反應(yīng)，從而使所述液滴膠凝化。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述多價陽離子選自金屬離子的組中，尤其是選自鈣離子和稀土金屬離子的組中，更加尤其是選自鈣離子和釔離子的組中。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述漿料包含無機(jī)氧化物粒子。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述無機(jī)氧化物粒子選自氧化鋁粒子、氧化鋯粒子和稀土元素氧化物粒子的組中。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述漿料包含硅酸鹽的粒子，例如硅酸鋯粒子、粘土、滑石；碳化物粒子；氮化物粒子；硼化物粒子；或碳酸鈣粒子。

12.根據(jù)權(quán)利要求9-11中任一項(xiàng)所述的方法，其中，制成的所述顆粒包含30-100wt.％的氧化鋁，優(yōu)選包含35-90wt.％的氧化鋁。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，制成的所述顆粒包含：

-50-90wt.％的氧化鋁，

-0-50wt.％的氧化鋯，

-兩種上述組分之和為70-100wt.％，優(yōu)選為70-98wt.％。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，包含：

-60-85wt.％的氧化鋁，

-7-30wt.％的氧化鋯，

-兩種上述組分之和為至少70wt.％，優(yōu)選為70-97wt.％。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，制成的所述顆粒包含：

-65-80wt.％的氧化鋁，

-12-25wt.％的氧化鋯，

-兩種上述組分之和為77-100wt.％，優(yōu)選為77-97wt.％。

16.燒結(jié)的陶瓷顆粒，所述陶瓷顆粒能夠通過前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法獲得。

17.燒結(jié)的陶瓷顆粒，優(yōu)選根據(jù)權(quán)利要求16所述的燒結(jié)的陶瓷顆粒，所述顆粒包含α-氧化鋁，所述顆粒的α-氧化鋁含量范圍為50-90wt.％，所述顆粒進(jìn)一步含有形成所述顆粒的總重量少于30wt.％的非晶相，所述顆粒含有二氧化硅，所述二氧化硅可存在于所述非晶相中或者存在于結(jié)晶相中。

18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的燒結(jié)的陶瓷顆粒，其中，所述顆粒包含50-85wt.％的氧化鋁、7-40wt.％的氧化鋯和3-30wt.％的(一種或多種)其他組分。

19.根據(jù)權(quán)利要求16-18中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)的陶瓷顆粒，其中，所述顆粒包含：

-50-75％的α-氧化鋁；

-7-20wt.％的氧化鋯；

-0-25wt.％的莫來石；

-0-5wt.％的尖晶石；

-0-5wt.％的鈣長石和

-0-25wt.％的非晶相。