[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580049981.1
• 申請(qǐng)日: 2015-09-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106796958A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸鎮(zhèn)成;玉敬喆;鄭賢浚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 漢陽(yáng)大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 呂琳,宋東穎

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及薄膜晶體管及其制作方法，更詳細(xì)地，薄膜晶體管及其制作方法包括：活性圖案，由氮化物形成；以及保護(hù)圖案，配置于上述活性圖案上，由非氮化物形成。

背景技術(shù)

最近，顯示器面前處于大面積化、最高分辨率(HUD，Ultra High Definition)化、高速驅(qū)動(dòng)化，并且，具有對(duì)于能夠適用于可穿戴設(shè)備(wearable device)等的柔性顯示器的要求。以往的非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體元件(Amorphous Si TFT)具有低的移動(dòng)度(0.5cm²/Vs以下)，因此，很難使用非晶質(zhì)硅半導(dǎo)體元件來(lái)實(shí)現(xiàn)大面積及最高分辨率的顯示器，并很難體現(xiàn)柔性顯示器裝置。

為了解決上述問(wèn)題，正在進(jìn)行著對(duì)于有機(jī)薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管等的研究。例如，在韓國(guó)專利公開(kāi)公報(bào)10-2011-0095530(申請(qǐng)?zhí)?0-2010-0015052)公開(kāi)了減少工作電壓，為了制作工序的簡(jiǎn)化而包括在上部具有凹陷區(qū)域的絕緣膜及配置于上述柵極絕緣膜的上述凹陷區(qū)域內(nèi)的有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)薄膜晶體管。

作為另一例，在韓國(guó)專利公開(kāi)公報(bào)10-2008-0054941(申請(qǐng)?zhí)?0-2006-0127671)中公開(kāi)了為了防止在大面積顯示裝置發(fā)生的信號(hào)延遲，為使化合物半導(dǎo)體層和源/漏電極良好地接觸，而由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形成源/漏電極的技術(shù)，上述第二導(dǎo)電層由低電阻形成。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題

本發(fā)明所要解決的第一技術(shù)問(wèn)題在于，提供高可靠性的薄膜晶體管及其制作方法。

本發(fā)明所要解決的再一技術(shù)問(wèn)題在于，提供高移動(dòng)度的薄膜晶體管及其制作方法。

本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問(wèn)題在于，提供收益率得到提高的薄膜晶體管的制作方法。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題并不局限于上述技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供薄膜晶體管。

根據(jù)一實(shí)施例，薄膜晶體管可包括：基板；活性圖案(active pattern)，配置于上述基板上，包括氮化物(nitride)；保護(hù)圖案，配置于上述活性圖案上，包括非氮化物(non nitride)；柵電極，與上述活性電極重疊；以及柵極絕緣膜，形成于上述柵電極及上述活性圖案之間。

根據(jù)一實(shí)施例，上述保護(hù)圖案可由半導(dǎo)體性非氮化物形成，上述活性圖案具有大于上述保護(hù)圖案的移動(dòng)度。

根據(jù)一實(shí)施例，上述薄膜晶體管可包括：鈍化膜，覆蓋上述保護(hù)圖案；源電極，貫通上述鈍化膜，與靠近上述柵電極一側(cè)的上述保護(hù)圖案的一部分相接觸；以及漏電極，貫通上述鈍化膜，與靠近上述柵電極一側(cè)的上述保護(hù)圖案的一部分相接觸。

根據(jù)一實(shí)施例，上述薄膜晶體管還可包括上述柵電極一側(cè)的源電極及上述柵電極另一側(cè)的漏電極，上述源電極及上述漏電極分別與靠近上述柵電極的上述一側(cè)及上述另一側(cè)的上述保護(hù)圖案的一部分相接觸。

根據(jù)一實(shí)施例，上述活性圖案可配置于上述保護(hù)圖案及上述柵電極之間。

根據(jù)一實(shí)施例，上述保護(hù)圖案可配置于上述活性圖案及上述柵電極之間。

根據(jù)一實(shí)施例，上述活性圖案可由第一元素、第二元素及氮的化合物形成，上述保護(hù)圖案由上述第一元素及上述第二元素的化合物形成。

根據(jù)一實(shí)施例，上述第一元素可包括鋅，上述第二元素包括氧。

根據(jù)一實(shí)施例，上述保護(hù)圖案的厚度可以小于上述活性圖案的厚度。

根據(jù)一實(shí)施例，上述保護(hù)圖案可以與上述活性圖案直接接觸(directly contact)。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供薄膜晶體管的制作方法。

根據(jù)一實(shí)施例，上述薄膜晶體管的制作方法可包括：在基板上形成包括氮化物的活性膜的步驟；在上述活性膜上形成包括非氮化物的保護(hù)膜的步驟；以及按上述保護(hù)膜及上述活性膜依次形成圖案，來(lái)形成層疊于上述基板上的活性圖案及保護(hù)圖案的步驟，上述保護(hù)膜從用于上述活性膜的形成圖案的溶液工序保護(hù)上述活性膜。

根據(jù)一實(shí)施例，上述活性膜利用可包括第一元素的第一源、包括第二元素的第二源及包括氮的第三源形成，上述保護(hù)膜利用上述第一元素及上述第二元素來(lái)與通過(guò)上述活性膜的制作方法相同制作方法形成。

根據(jù)一實(shí)施例，在上述薄膜晶體管的制作方法中，在形成上述活性膜之前，還可包括：在上述基板上形成柵電極的步驟；以及在柵電極上形成柵極絕緣膜的步驟。